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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BYQ28ED-200PLJ Image BYQ28ED-200PLJ BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN Investigación
BT138-800G,127 Image BT138-800G,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BT138-600G0Q BT138-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
BT131-600/DG,412 Image BT131-600/DG,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BT139B-600F,118 Image BT139B-600F,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BTA204-600E,127 Image BTA204-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
BT134-600D,127 Image BT134-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Investigación
BT138-600E/DGQ Image BT138-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F Investigación
BT136X-600F,127 Image BT136X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Investigación
BUJ303B,127 Image BUJ303B,127 TRANS NPN 400V 5A TO220AB Investigación
BT138-600-0TQ BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Investigación
BTA316B-600C,118 Image BTA316B-600C,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BT152X-400R,127 Image BT152X-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO-220F Investigación
BYC10B-600,118 Image BYC10B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK Investigación
TYN40-800TQ TYN40-800TQ SIL3P STANDARD MARKI Investigación
BT138X-800E,127 Image BT138X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 Investigación
BT155W-1200TQ Image BT155W-1200TQ SCR 1200V 79A TO247-3 Investigación
BT138B-600G,118 Image BT138B-600G,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Investigación
BT151-500C,127 Image BT151-500C,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Investigación
BT145X-800RQ BT145X-800R/TO-220F/STANDARD M Investigación
BT152X-600R,127 Image BT152X-600R,127 THYRISTOR 650V 20A SOT186A Investigación
BT151-800C,127 Image BT151-800C,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB Investigación
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD Investigación
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