Tarjeta de línea
WeEn Semiconductors Co., Ltd
- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen |
Número de pieza |
Descripción |
Ver |
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BYC8-600P,127 |
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
Investigación |
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N0118GA,412 |
SCR SENS 600V 800MA SOT54 |
Investigación |
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BT139-600,127 |
TRIAC 600V 16A TO220AB |
Investigación |
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BTA2008-800E,412 |
TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO92-3 |
Investigación |
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BYC30DW-600PQ |
BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR |
Investigación |
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BT134-600,127 |
TRIAC 600V 4A SOT82-3 |
Investigación |
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BTA208-600B,127 |
TRIAC 600V 8A TO220AB |
Investigación |
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Z0109MA/L01EP |
Z0109MA/L01/TO-92/STANDARD MAR |
Investigación |
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BT155Z-1200TQ |
BT155Z-1200TQ II TO3P |
Investigación |
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MAC223A8X,127 |
TRIAC 600V 20A TO220-3 |
Investigación |
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OT412,115 |
TRIAC SC73 |
Investigación |
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BT169H,412 |
THYRISTOR 800V 50MA TO92-3 |
Investigación |
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BT131-600D/L01EP |
TRIAC SENS GATE 600V 1A |
Investigación |
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BYV415K-600PQ |
DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P |
Investigación |
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BTA204-600F,127 |
TRIAC 600V 4A TO220AB |
Investigación |
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BT150S-600R,118 |
THYRISTOR 600V 4A DPAK |
Investigación |
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BYV32EB-200PJ |
BYV32EB-200PQ TO263 STANDARD MAR |
Investigación |
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ACTT2S-800ETNJ |
ACTT2S-800ETNJ/DPAK |
Investigación |
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BT137B-600E,118 |
TRIAC SENS GATE 600V 8A D2PAK |
Investigación |
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BTA204X-800E/L01Q |
BTA204X-800E/L01/TO-220F/STAND |
Investigación |
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BT139B-800,118 |
TRIAC 800V 16A D2PAK |
Investigación |
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ACTT10X-800CQ |
TRIAC 800V 10A TO-220FP |
Investigación |
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BT1308W-600D,115 |
TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 |
Investigación |
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BTA316-800B0,127 |
TRIAC 800V 16A TO220AB |
Investigación |
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BTA425X-800BTQ |
TRIAC 800V 25A TO220F |
Investigación |
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ACT108-800EEP |
TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 |
Investigación |
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BYV74W-400,127 |
DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247-3 |
Investigación |
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BTA208X-800F,127 |
TRIAC 800V 8A TO220-3 |
Investigación |
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ACTT8X-800CTNQ |
ACTT8X-800CTN/TO-220F/STANDARD |
Investigación |
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BT151X-650R,127 |
THYRISTOR 650V 12A SOT186A |
Investigación |
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BYC10-600,127 |
DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC |
Investigación |
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ACTT4S-800C,118 |
TRIAC 800V 4A DPAK |
Investigación |
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BT169D/01,112 |
THYRISTOR 400V 50MA TO92-3 |
Investigación |
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BT136S-800,118 |
TRIAC 800V 4A DPAK |
Investigación |
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ACTT10X-800CTNQ |
ACTT10X-800CTN/TO-220F/STANDAR |
Investigación |
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BT169D-L,112 |
THYRISTOR 400V 50MA TO92-3 |
Investigación |
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BYR29X-800,127 |
DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F |
Investigación |
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BT137-600D,127 |
TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB |
Investigación |
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ACTT6X-800CNQ |
ACTT6X-800CN/TO-220F/STANDARD |
Investigación |
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ACTT12-800CTQ |
ACTT12-800CT/SIL3P/STANDARD MA |
Investigación |
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BTA204S-1000C,118 |
TRIAC 1KV 4A DPAK |
Investigación |
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BT137-600G0TQ |
TRIAC 600V 8A |
Investigación |
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BYW29ED-200,118 |
DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK |
Investigación |
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BTA310X-800E,127 |
TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F |
Investigación |
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BT136S-600E,118 |
TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK |
Investigación |
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ACT108W-800EF |
TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SOT223 |
Investigación |
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BT137X-800,127 |
TRIAC 800V 8A TO220-3 |
Investigación |
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BT139-800G,127 |
TRIAC 800V 16A TO220AB |
Investigación |
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BT151S-500R,118 |
THYRISTOR 500V 12A DPAK |
Investigación |
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TB100ML |
TB100/TO-92/STANDARD MARKING * |
Investigación |