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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BTA420-800BT,127 Image BTA420-800BT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Investigación
BTA316B-600CTJ Image BTA316B-600CTJ BTA316B-600CTJ/TO263/Q1/T1 *STAN Investigación
BT138X-600E,127 Image BT138X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Investigación
Z0103NN0,135 Image Z0103NN0,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
BTA410X-800CT,127 Image BTA410X-800CT,127 TRIAC 800V 10A TO220F Investigación
BT138-600G,127 Image BT138-600G,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BTA216-800B,127 Image BTA216-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BTA204-800C,127 Image BTA204-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Investigación
BTA216-600B/DG,127 Image BTA216-600B/DG,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
BT149D,112 Image BT149D,112 THYRISTOR 400V 0.8A TO92 Investigación
BYV25FD-600,118 Image BYV25FD-600,118 DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Investigación
BTA308Y-800C0TQ BTA308Y-800C0T/IITO220 /STANDARD Investigación
BTA312-600D,127 Image BTA312-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Investigación
Z0103MA,116 Image Z0103MA,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
PHD13003C,412 Image PHD13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Investigación
WNS20H100CBJ WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ Investigación
ACTT6-800CNQ ACTT6-800CN/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
BTA312B-600D,118 Image BTA312B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Investigación
BYQ28ED-200,118 Image BYQ28ED-200,118 DIODE ARRAY GP 200V 10A DPAK Investigación
BT136X-600E,127 Image BT136X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220-3 Investigación
BYC10DX-600,127 Image BYC10DX-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F Investigación
MAC97A6,116 Image MAC97A6,116 TRIAC SENS GATE 400V 0.6A TO92-3 Investigación
BUJ303AX,127 Image BUJ303AX,127 TRANS NPN 500V 5A TO-220F Investigación
BTA316X-800B/L01,1 Image BTA316X-800B/L01,1 TRIAC 800V 16A TO220F Investigación
Z0109NA,126 Image Z0109NA,126 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
NXPSC20650WQ DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 Investigación
BTA316B-800E,118 Image BTA316B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 16A D2PAK Investigación
BTA312X-600B,127 Image BTA312X-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220F Investigación
BTA316B-600B,118 Image BTA316B-600B,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BTA308X-800C0/L03Q BTA308X-800C0/L03/TO-220F/STAN Investigación
BT151-650R,127 Image BT151-650R,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Investigación
BYV430K-300PQ DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P Investigación
BT300S-600R,118 Image BT300S-600R,118 THYRISTOR 8A 600V DPAK Investigación
BTA204-800B,127 Image BTA204-800B,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Investigación
BT236X-800,127 Image BT236X-800,127 TRIAC 800V 6A TO220F Investigación
ACT108-600EQP ACT108-600E/TO-92/STANDARD MAR Investigación
ACTT12X-800CTQ ACTT12X-800CT/TO-220F/STANDARD Investigación
BT258-800R,127 Image BT258-800R,127 THYRISTOR 800V 8A TO220AB Investigación
BTA202X-800E,127 Image BTA202X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220-3 Investigación
BUJ103AD,118 Image BUJ103AD,118 TRANS NPN 400V 4A DPAK Investigación
BTA420-800CT,127 Image BTA420-800CT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Investigación
BT139X-600F,127 Image BT139X-600F,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Investigación
BTA2008W-800D,135 Image BTA2008W-800D,135 TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73 Investigación
BT131-600E,412 Image BT131-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA206X-800CT/L02Q BTA206X-800CT/L02/TO-220F/STAN Investigación
BTA204X-600F/L03Q Image BTA204X-600F/L03Q TRIAC 600V 4A Investigación
BTA204S-600B,118 Image BTA204S-600B,118 TRIAC 600V 4A DPAK Investigación
TYN16-600RTQ Image TYN16-600RTQ IC SCR 16A 600V TO220AB Investigación
BT136S-800E,118 Image BT136S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK Investigación
BT134W-800,115 Image BT134W-800,115 TRIAC 800V 1A SC73 Investigación
registros 873