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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BTA316B-600E,118 Image BTA316B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Investigación
BTA204W-800E,135 Image BTA204W-800E,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
BT132-600D,412 Image BT132-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA316X-600C/L02Q BTA316X-600C/L02/TO-220F/STAND Investigación
BTA312X-800B,127 Image BTA312X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Investigación
BT151S-500L,118 Image BT151S-500L,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Investigación
BTA312B-800B,118 Image BTA312B-800B,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Investigación
BTA316-800B,127 Image BTA316-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BTA310X-800C,127 Image BTA310X-800C,127 TRIAC 800V 10A TO220F Investigación
BTA308X-800F0/L03Q BTA308X-800F0 L03 STANDARD Investigación
PHE13003A,126 Image PHE13003A,126 TRANS NPN 400V 1A SOT54 Investigación
NXPS20H100C,127 Image NXPS20H100C,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Investigación
BT132-600D,116 Image BT132-600D,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BYV32E-100,127 Image BYV32E-100,127 DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB Investigación
BT136-600E/L01,127 Image BT136-600E/L01,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
BT169G-L,412 Image BT169G-L,412 THYRISTOR 600V SOT54 Investigación
BTA330-800BTQ Image BTA330-800BTQ TRIAC 800V 30A TO220AB Investigación
BTA204X-600B,127 Image BTA204X-600B,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Investigación
BTA201-800E,112 Image BTA201-800E,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BYR29X-600,127 Image BYR29X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Investigación
BTA316-600D,127 Image BTA316-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BTA316X-800E,127 Image BTA316X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220-3 Investigación
BYQ30E-200,127 Image BYQ30E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB Investigación
BTA316-800C,127 Image BTA316-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BTA416Y-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
BTA208-800F,127 Image BTA208-800F,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Investigación
ACT108-600E,126 Image ACT108-600E,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BT138-600D,127 Image BT138-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Investigación
BT137X-600/L02Q Image BT137X-600/L02Q TRIAC 600V 8A Investigación
Z0109MN,135 Image Z0109MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BYC8X-600,127 Image BYC8X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Investigación
BT134W-600D,115 Image BT134W-600D,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BTA208-600E,127 Image BTA208-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Investigación
BYC20-600,127 Image BYC20-600,127 DIODE GEN PURP 500V 20A TO220AC Investigación
EC103D1,412 Image EC103D1,412 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Investigación
BT138X-800F,127 Image BT138X-800F,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Investigación
OB2003/001V OB2003/001V/NAU000/NO MARK*CHIPS Investigación
BTA206X-800CT/L01, Image BTA206X-800CT/L01, TRIAC 800V 6A TO220F Investigación
Z0103MA,126 Image Z0103MA,126 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BT169DEP BT169D/TO-92/STANDARD MARKING Investigación
BTA201-800ER,126 Image BTA201-800ER,126 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
Z0103MN0,135 Image Z0103MN0,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BUJ302A,127 Image BUJ302A,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Investigación
BT151U-650C,127 Image BT151U-650C,127 THYRISTOR 650V 12A SOT533 Investigación
BTA204S-600D,118 Image BTA204S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Investigación
PMDPB760ENX MOSFET AXIAL Investigación
BTA140-600-0Q BTA140-600-0/SIL3P/STANDARD MA Investigación
BTA2008-600EQP BTA2008-600E/TO-92/STANDARD MA Investigación
BTA316-600BT,127 Image BTA316-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
BT134-600E,127 Image BT134-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Investigación
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