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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
OT413,127 TRIAC STANDARD 600V 12A TO220-3 Investigación
BT137S-600,118 Image BT137S-600,118 TRIAC STANDARD 600V 8A DPAK Investigación
BTA208-800B/DG,127 Image BTA208-800B/DG,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Investigación
BT131-800EQP BT131-800E/TO-92/STANDARD MARK Investigación
BUJ403A,127 Image BUJ403A,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Investigación
BT137-600/DG,127 Image BT137-600/DG,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Investigación
BTA212X-800E,127 Image BTA212X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 Investigación
BT137-600,127 Image BT137-600,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Investigación
BTA216B-800B,118 Image BTA216B-800B,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Investigación
BTA2008-600E,412 Image BTA2008-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
ACT108-600E,412 Image ACT108-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BTA204W-800C,135 Image BTA204W-800C,135 TRIAC 800V 1A SC73 Investigación
BTA201-600E,112 Image BTA201-600E,112 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA2008-600E/L02EP BTA2008-600E/L02/TO-92/STANDAR Investigación
OT384,112 Image OT384,112 TRIAC TO92-3 Investigación
BTA316-600E/DGQ Image BTA316-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BT137-800,127 Image BT137-800,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Investigación
BTA410-600CT,127 Image BTA410-600CT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Investigación
BTA212-600B/DG,127 Image BTA212-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
NXL0840,412 Image NXL0840,412 SCR LOGIC LEVEL 400V 0.5A TO-92 Investigación
BTA204S-800C,118 Image BTA204S-800C,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
BT136B-800E,118 Image BT136B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 4A D2PAK Investigación
NXPSC04650Q Image NXPSC04650Q DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC Investigación
MAC97A8,116 Image MAC97A8,116 TRIAC SENS GATE 600V 0.6A TO92-3 Investigación
BTA212X-600F,127 Image BTA212X-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220F Investigación
BTA312B-800C,118 Image BTA312B-800C,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Investigación
BYV29G-600,127 Image BYV29G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK Investigación
BT137X-600D,127 Image BT137X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Investigación
BTA201-800ER,112 Image BTA201-800ER,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
WNS20S100CBJ Image WNS20S100CBJ WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ Investigación
BT137X-600F/L02Q BT137X-600F/L02/TO-220F/STANDA Investigación
BTA316-800CTQ BTA316-800CTQ/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
BTA204X-800C/L03Q BTA204X-800C/L03/TO-220F/STAND Investigación
BTA212X-800B,127 Image BTA212X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Investigación
BTA204X-600F,127 Image BTA204X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220F Investigación
BT138X-800/L02Q BT138X-800/L02/TO-220F/STANDAR Investigación
BYQ28X-200,127 Image BYQ28X-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220-3 Investigación
BTA201-800ER,116 Image BTA201-800ER,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
TYN16X-800RT,127 Image TYN16X-800RT,127 IC SCR 16A 800V TO-220F Investigación
BT1308W-400D,135 Image BT1308W-400D,135 TRIAC SENS GATE 400V 0.8A SC73 Investigación
BTA412Y-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BUJ106A,127 Image BUJ106A,127 TRANS NPN 400V 10A TO220AB Investigación
BT139X-800,127 Image BT139X-800,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Investigación
BT151X-800C,127 Image BT151X-800C,127 THYRISTOR 800V 12A TO-220F Investigación
PHE13003A,412 Image PHE13003A,412 TRANS NPN 400V 1A SOT54 Investigación
BYV42G-200,127 Image BYV42G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 30A I2PAK Investigación
BT151-800R,127 Image BT151-800R,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB Investigación
BTA310-600D,127 Image BTA310-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Investigación
BTA208X-800B/L02Q BTA208X-800B/L02/TO-220F/STAND Investigación
BTA201-800E,412 Image BTA201-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
registros 873