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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BTA204W-600B,135 Image BTA204W-600B,135 TRIAC 600V 1A SC73 Investigación
WNS40H100CBJ WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ Investigación
BTA312-800B,127 Image BTA312-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
PHE13009,127 Image PHE13009,127 TRANS NPN 400V 12A TO220AB Investigación
BT152B-800R,118 Image BT152B-800R,118 THYRISTOR 800V 20A D2PAK Investigación
BTA212B-600F,118 Image BTA212B-600F,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Investigación
BTA140-600-0TQ BTA140-600-0T/SIL3P/STANDARD M Investigación
BUJ100,412 Image BUJ100,412 TRANS NPN 400V 1A TO92 Investigación
ACTT16X-800CTNQ ACTT16X-800CTN/TO-220F/STANDAR Investigación
BTA310X-800D,127 Image BTA310X-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Investigación
BT169HML BT169H/TO-92/STANDARD MARKING Investigación
BTA208X-1000C0/L01 Image BTA208X-1000C0/L01 TRIAC 1KV 8A TO220F Investigación
BYT79-600,127 Image BYT79-600,127 DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC Investigación
BT138B-600E,118 Image BT138B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Investigación
BYC8X-600P,127 Image BYC8X-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Investigación
BTA412Y-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BYV29-600,127 Image BYV29-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC Investigación
Z0103MN,135 Image Z0103MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
NCR100W-10MX NCR100W-10M/SC-73/REEL 7" Q1/T Investigación
BTA330X-800BTQ Image BTA330X-800BTQ TRIAC 800V 30A TO220F Investigación
BYV32E-150,127 Image BYV32E-150,127 DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB Investigación
BT258X-600R,127 Image BT258X-600R,127 THYRISTOR 600V 8A SOT186A Investigación
BT169D,116 Image BT169D,116 THYRISTOR 400V 0.8A TO92-3 Investigación
Z0103MA0,116 Image Z0103MA0,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BT131-800E,412 Image BT131-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BTA212B-600D,118 Image BTA212B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Investigación
Z0107MN,135 Image Z0107MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BYV25D-600,118 Image BYV25D-600,118 DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Investigación
BT139-600G0Q BT139-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
BTA410Y-600CT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Investigación
BYT79-500,127 Image BYT79-500,127 DIODE GEN PURP 500V 14A TO220AC Investigación
BYV25G-600,127 Image BYV25G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK Investigación
BT169G,112 Image BT169G,112 THYRISTOR .8A 600V TO-92 Investigación
BYV29B-600,118 Image BYV29B-600,118 DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK Investigación
BYV29-400,127 Image BYV29-400,127 DIODE GEN PURP 400V 9A TO220AC Investigación
BYV42E-150,127 Image BYV42E-150,127 DIODE ARRAY GP 150V 30A TO220AB Investigación
BTA201-600E/L01EP BTA201-600E/L01/TO-92/STANDARD Investigación
BTA316X-800B,127 Image BTA316X-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Investigación
BYV430W-300PQ DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247-3 Investigación
BUJ105AB,118 Image BUJ105AB,118 TRANS NPN 400V 8A D2PAK Investigación
OT332,127 Image OT332,127 TRIAC TO220-3 Investigación
BT158W-1200TQ BT158W-1200TQ TO-247 Investigación
BTA412Y-800ETQ BTA412Y-800ET SIL3P STANDARD Investigación
BT169D/DG,126 Image BT169D/DG,126 THYRISTOR 400V 500MA TO92-3 Investigación
OT409,135 Image OT409,135 TRIAC STANDARD TO261-4 Investigación
BTA204X-600E,127 Image BTA204X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220-3 Investigación
ACTT8-800CTNQ ACTT8-800CTN/SIL3P/STANDARD MA Investigación
BTA420Y-800BT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Investigación
BTA312-800C,127 Image BTA312-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BTA216-600BT,127 Image BTA216-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
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