Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BTA204W-600B,135 Image BTA204W-600B,135 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
WNS40H100CBJ WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ Inchiesta
BTA312-800B,127 Image BTA312-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
PHE13009,127 Image PHE13009,127 TRANS NPN 400V 12A TO220AB Inchiesta
BT152B-800R,118 Image BT152B-800R,118 THYRISTOR 800V 20A D2PAK Inchiesta
BTA212B-600F,118 Image BTA212B-600F,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
BTA140-600-0TQ BTA140-600-0T/SIL3P/STANDARD M Inchiesta
BUJ100,412 Image BUJ100,412 TRANS NPN 400V 1A TO92 Inchiesta
ACTT16X-800CTNQ ACTT16X-800CTN/TO-220F/STANDAR Inchiesta
BTA310X-800D,127 Image BTA310X-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Inchiesta
BT169HML BT169H/TO-92/STANDARD MARKING Inchiesta
BTA208X-1000C0/L01 Image BTA208X-1000C0/L01 TRIAC 1KV 8A TO220F Inchiesta
BYT79-600,127 Image BYT79-600,127 DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC Inchiesta
BT138B-600E,118 Image BT138B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
BYC8X-600P,127 Image BYC8X-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
BTA412Y-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BYV29-600,127 Image BYV29-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC Inchiesta
Z0103MN,135 Image Z0103MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
NCR100W-10MX NCR100W-10M/SC-73/REEL 7" Q1/T Inchiesta
BTA330X-800BTQ Image BTA330X-800BTQ TRIAC 800V 30A TO220F Inchiesta
BYV32E-150,127 Image BYV32E-150,127 DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB Inchiesta
BT258X-600R,127 Image BT258X-600R,127 THYRISTOR 600V 8A SOT186A Inchiesta
BT169D,116 Image BT169D,116 THYRISTOR 400V 0.8A TO92-3 Inchiesta
Z0103MA0,116 Image Z0103MA0,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT131-800E,412 Image BT131-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA212B-600D,118 Image BTA212B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
Z0107MN,135 Image Z0107MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BYV25D-600,118 Image BYV25D-600,118 DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Inchiesta
BT139-600G0Q BT139-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA410Y-600CT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Inchiesta
BYT79-500,127 Image BYT79-500,127 DIODE GEN PURP 500V 14A TO220AC Inchiesta
BYV25G-600,127 Image BYV25G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK Inchiesta
BT169G,112 Image BT169G,112 THYRISTOR .8A 600V TO-92 Inchiesta
BYV29B-600,118 Image BYV29B-600,118 DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK Inchiesta
BYV29-400,127 Image BYV29-400,127 DIODE GEN PURP 400V 9A TO220AC Inchiesta
BYV42E-150,127 Image BYV42E-150,127 DIODE ARRAY GP 150V 30A TO220AB Inchiesta
BTA201-600E/L01EP BTA201-600E/L01/TO-92/STANDARD Inchiesta
BTA316X-800B,127 Image BTA316X-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Inchiesta
BYV430W-300PQ DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247-3 Inchiesta
BUJ105AB,118 Image BUJ105AB,118 TRANS NPN 400V 8A D2PAK Inchiesta
OT332,127 Image OT332,127 TRIAC TO220-3 Inchiesta
BT158W-1200TQ BT158W-1200TQ TO-247 Inchiesta
BTA412Y-800ETQ BTA412Y-800ET SIL3P STANDARD Inchiesta
BT169D/DG,126 Image BT169D/DG,126 THYRISTOR 400V 500MA TO92-3 Inchiesta
OT409,135 Image OT409,135 TRIAC STANDARD TO261-4 Inchiesta
BTA204X-600E,127 Image BTA204X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220-3 Inchiesta
ACTT8-800CTNQ ACTT8-800CTN/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BTA420Y-800BT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Inchiesta
BTA312-800C,127 Image BTA312-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BTA216-600BT,127 Image BTA216-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
Records 873