Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BTA206-800ET,127 Image BTA206-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A TO220AB Inchiesta
BTA216X-600D,127 Image BTA216X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BT137-800E,127 Image BT137-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220AB Inchiesta
TYN16X-600CTNQ Image TYN16X-600CTNQ TYN16X-600CTN/TO-220F/STANDARD Inchiesta
BYQ28E-200/H,127 Image BYQ28E-200/H,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
EC103D1,116 Image EC103D1,116 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Inchiesta
BT139B-800F,118 Image BT139B-800F,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Inchiesta
BTA201-800ER,412 Image BTA201-800ER,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA330Y-800CTQ BTA330Y-800CT/SIL3P/STANDARD M Inchiesta
BT169D-L,116 SCR 400V 800MA TO92 Inchiesta
BYV34-600,127 Image BYV34-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220AB Inchiesta
BT151X-800R/DG,127 Image BT151X-800R/DG,127 THYRISTOR 800V 12A TO-220F Inchiesta
BT134W-600E,115 Image BT134W-600E,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
ACTT8-800C0Q ACTT8-800C0/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA206-800CT,127 Image BTA206-800CT,127 TRIAC 800V 6A TO220AB Inchiesta
BTA208X-600D,127 Image BTA208X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Inchiesta
TYN16-800RTQ Image TYN16-800RTQ IC SCR 16A 800V TO220AB Inchiesta
ACTT6B-800CNJ ACTT6B-800CN/D2PAK/REEL 13" Q1 Inchiesta
BT169G-MQP BT169G-M/TO-92/STANDARD MARKIN Inchiesta
BT137X-600G,127 Image BT137X-600G,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BYV32G-200,127 Image BYV32G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 20A I2PAK Inchiesta
BYR29-600,127 Image BYR29-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Inchiesta
BT139B-600E,118 Image BT139B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Inchiesta
BUJD203AX,127 Image BUJD203AX,127 TRANS NPN 425V 4A TO-220F Inchiesta
BTA410X-800ET,127 Image BTA410X-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Inchiesta
BTA206X-800ET/L03Q BTA206X-800ET/L03/TO-220F/STAN Inchiesta
BT151U-800C,127 Image BT151U-800C,127 THYRISTOR 800V 12A SOT533 Inchiesta
BTA420Y-800CT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Inchiesta
BT131-600,116 Image BT131-600,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA312-800C/DG,127 Image BTA312-800C/DG,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BYW29E-100,127 Image BYW29E-100,127 DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC Inchiesta
NCR100W-10LX NCR100W-10L/SC-73/REEL 7" Q1/T Inchiesta
BTA310X-600C,127 Image BTA310X-600C,127 TRIAC 600V 10A TO220F Inchiesta
PHE13003C,126 Image PHE13003C,126 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Inchiesta
BTA308X-800ETQ BTA308X-800ETQ/TO-220F/STANDARD Inchiesta
BTA316-600E,127 Image BTA316-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BT131-600DQP Image BT131-600DQP TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
TYN20B-800T,118 Image TYN20B-800T,118 SCR 800V 210A D2PAK Inchiesta
BTA316-600ET/DGQ BTA316-600ET/DG/SIL3P/STANDARD Inchiesta
BT139-800E,127 Image BT139-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220AB Inchiesta
BTA310-800E,127 Image BTA310-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Inchiesta
BTA216B-600B,118 Image BTA216B-600B,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BTA208-600D,127 Image BTA208-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Inchiesta
BUJ103A,127 Image BUJ103A,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Inchiesta
BYC8B-600,118 Image BYC8B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK Inchiesta
BTA316X-600B,127 Image BTA316X-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BT139B-800E,118 Image BT139B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 16A D2PAK Inchiesta
ACTT8-800C0TQ ACTT8-800C0T/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BTA410-800ET,127 Image BTA410-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Inchiesta
BTA212X-600E,127 Image BTA212X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
Records 873