Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BYC8-600P,127 Image BYC8-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Inchiesta
N0118GA,412 Image N0118GA,412 SCR SENS 600V 800MA SOT54 Inchiesta
BT139-600,127 Image BT139-600,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA2008-800E,412 Image BTA2008-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR Inchiesta
BT134-600,127 Image BT134-600,127 TRIAC 600V 4A SOT82-3 Inchiesta
BTA208-600B,127 Image BTA208-600B,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
Z0109MA/L01EP Z0109MA/L01/TO-92/STANDARD MAR Inchiesta
BT155Z-1200TQ Image BT155Z-1200TQ BT155Z-1200TQ II TO3P Inchiesta
MAC223A8X,127 Image MAC223A8X,127 TRIAC 600V 20A TO220-3 Inchiesta
OT412,115 Image OT412,115 TRIAC SC73 Inchiesta
BT169H,412 Image BT169H,412 THYRISTOR 800V 50MA TO92-3 Inchiesta
BT131-600D/L01EP Image BT131-600D/L01EP TRIAC SENS GATE 600V 1A Inchiesta
BYV415K-600PQ Image BYV415K-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P Inchiesta
BTA204-600F,127 Image BTA204-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Inchiesta
BT150S-600R,118 Image BT150S-600R,118 THYRISTOR 600V 4A DPAK Inchiesta
BYV32EB-200PJ Image BYV32EB-200PJ BYV32EB-200PQ TO263 STANDARD MAR Inchiesta
ACTT2S-800ETNJ ACTT2S-800ETNJ/DPAK Inchiesta
BT137B-600E,118 Image BT137B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 8A D2PAK Inchiesta
BTA204X-800E/L01Q BTA204X-800E/L01/TO-220F/STAND Inchiesta
BT139B-800,118 Image BT139B-800,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Inchiesta
ACTT10X-800CQ Image ACTT10X-800CQ TRIAC 800V 10A TO-220FP Inchiesta
BT1308W-600D,115 Image BT1308W-600D,115 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Inchiesta
BTA316-800B0,127 Image BTA316-800B0,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BTA425X-800BTQ Image BTA425X-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220F Inchiesta
ACT108-800EEP Image ACT108-800EEP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Inchiesta
BYV74W-400,127 Image BYV74W-400,127 DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247-3 Inchiesta
BTA208X-800F,127 Image BTA208X-800F,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Inchiesta
ACTT8X-800CTNQ ACTT8X-800CTN/TO-220F/STANDARD Inchiesta
BT151X-650R,127 Image BT151X-650R,127 THYRISTOR 650V 12A SOT186A Inchiesta
BYC10-600,127 Image BYC10-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC Inchiesta
ACTT4S-800C,118 Image ACTT4S-800C,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
BT169D/01,112 Image BT169D/01,112 THYRISTOR 400V 50MA TO92-3 Inchiesta
BT136S-800,118 Image BT136S-800,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
ACTT10X-800CTNQ ACTT10X-800CTN/TO-220F/STANDAR Inchiesta
BT169D-L,112 Image BT169D-L,112 THYRISTOR 400V 50MA TO92-3 Inchiesta
BYR29X-800,127 Image BYR29X-800,127 DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F Inchiesta
BT137-600D,127 Image BT137-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Inchiesta
ACTT6X-800CNQ ACTT6X-800CN/TO-220F/STANDARD Inchiesta
ACTT12-800CTQ ACTT12-800CT/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BTA204S-1000C,118 Image BTA204S-1000C,118 TRIAC 1KV 4A DPAK Inchiesta
BT137-600G0TQ Image BT137-600G0TQ TRIAC 600V 8A Inchiesta
BYW29ED-200,118 Image BYW29ED-200,118 DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK Inchiesta
BTA310X-800E,127 Image BTA310X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Inchiesta
BT136S-600E,118 Image BT136S-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Inchiesta
ACT108W-800EF Image ACT108W-800EF TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SOT223 Inchiesta
BT137X-800,127 Image BT137X-800,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Inchiesta
BT139-800G,127 Image BT139-800G,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BT151S-500R,118 Image BT151S-500R,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Inchiesta
TB100ML TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Inchiesta
Records 873