Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BYV10-600PQ Image BYV10-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Inchiesta
BT152-800R,127 Image BT152-800R,127 THYRISTOR 20A 800V TO220AB Inchiesta
BTA408X-1000C0TQ Image BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ/TO-220F/STANDAR Inchiesta
TB100EP TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Inchiesta
BTA208X-600B,127 Image BTA208X-600B,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BTA312-800CT,127 Image BTA312-800CT,127 TRIAC 800V 12A TO-220AB Inchiesta
Z0109NA,412 Image Z0109NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA204X-800C,127 Image BTA204X-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220-3 Inchiesta
BUJ302AD,118 Image BUJ302AD,118 TRANS NPN 400V 4A DPAK Inchiesta
BT258S-800R,118 Image BT258S-800R,118 THYRISTOR 800V 8A DPAK Inchiesta
BTA208X-600F/L01Q BTA208X-600F/L01/TO-220F/STAND Inchiesta
Z0109MA0,412 Image Z0109MA0,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
OT393,115 Image OT393,115 TRIAC SC73 Inchiesta
BTA208X-600F,127 Image BTA208X-600F,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Inchiesta
ACTT10X-800ETQ Image ACTT10X-800ETQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP Inchiesta
BT137B-800F,118 Image BT137B-800F,118 TRIAC 800V 8A D2PAK Inchiesta
Z0107MA,116 Image Z0107MA,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT131-600D,412 Image BT131-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT151S-650R,118 Image BT151S-650R,118 THYRISTOR 650V 12A DPAK Inchiesta
BT139X-600,127 Image BT139X-600,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BTA316-600B0Q Image BTA316-600B0Q TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
MAC97A6,412 Image MAC97A6,412 TRIAC SENS GATE 400V 0.6A TO92-3 Inchiesta
BTA208-800B/L01,12 Image BTA208-800B/L01,12 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
BYV32EB-200,118 Image BYV32EB-200,118 DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Inchiesta
N0118GA,116 Image N0118GA,116 SCR SENS 600V 800MA SOT54 TO-92 Inchiesta
BTA312B-800ET,118 Image BTA312B-800ET,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Inchiesta
BTA204W-600E,135 Image BTA204W-600E,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
MAC97A8,412 Image MAC97A8,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.6A TO92-3 Inchiesta
BT134W-600,115 Image BT134W-600,115 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
BT149G,412 Image BT149G,412 THYRISTOR .8A 600V TO-92 Inchiesta
BT258S-800LT,118 Image BT258S-800LT,118 SCR LOGIC LEVEL 800V 5A DPAK Inchiesta
ACT108-600D,412 Image ACT108-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BT134W-600,135 Image BT134W-600,135 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
BT137X-600F,127 Image BT137X-600F,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Inchiesta
ACTT10-800ETQ Image ACTT10-800ETQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Inchiesta
BT137S-800E,118 Image BT137S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 8A DPAK Inchiesta
BTA410-600BT,127 Image BTA410-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA410Y-800CT,127 TRIAC 800V 10A TO220AB Inchiesta
BT138-800E,127 Image BT138-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Inchiesta
BTA416Y-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
ACTT10-800EQ Image ACTT10-800EQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Inchiesta
BTA310-600E,127 Image BTA310-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA140-600G0TQ BTA140-600G0T/SIL3P/STANDARD M Inchiesta
BTA201-800E,116 Image BTA201-800E,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BT131W-600,135 Image BT131W-600,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BT151-500RT,127 Image BT151-500RT,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Inchiesta
BTA208-800B,127 Image BTA208-800B,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
BYV42EB-200,118 Image BYV42EB-200,118 DIODE ARRAY GP 200V 30A D2PAK Inchiesta
BT169GEP BT169G/TO-92/STANDARD MARKING Inchiesta
BTA316X-600C/L03Q BTA316X-600C L03Q STANDARD Inchiesta
Records 873