Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BYQ28ED-200PLJ Image BYQ28ED-200PLJ BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN Inchiesta
BT138-800G,127 Image BT138-800G,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BT138-600G0Q BT138-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BT131-600/DG,412 Image BT131-600/DG,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT139B-600F,118 Image BT139B-600F,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BTA204-600E,127 Image BTA204-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Inchiesta
BT134-600D,127 Image BT134-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Inchiesta
BT138-600E/DGQ Image BT138-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F Inchiesta
BT136X-600F,127 Image BT136X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Inchiesta
BUJ303B,127 Image BUJ303B,127 TRANS NPN 400V 5A TO220AB Inchiesta
BT138-600-0TQ BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BTA316B-600C,118 Image BTA316B-600C,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BT152X-400R,127 Image BT152X-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO-220F Inchiesta
BYC10B-600,118 Image BYC10B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK Inchiesta
TYN40-800TQ TYN40-800TQ SIL3P STANDARD MARKI Inchiesta
BT138X-800E,127 Image BT138X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BT155W-1200TQ Image BT155W-1200TQ SCR 1200V 79A TO247-3 Inchiesta
BT138B-600G,118 Image BT138B-600G,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
BT151-500C,127 Image BT151-500C,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Inchiesta
BT145X-800RQ BT145X-800R/TO-220F/STANDARD M Inchiesta
BT152X-600R,127 Image BT152X-600R,127 THYRISTOR 650V 20A SOT186A Inchiesta
BT151-800C,127 Image BT151-800C,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB Inchiesta
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD Inchiesta
Records 873
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