Cartão de linha

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, é a joint venture global entre a NXP Semiconductors N.V. e a Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd. (JAC Capital). A WeEn Semiconductors foi inaugurada oficialmente em 19 de janeiro de 2016 com o centro de negócios e operações localizado em Xangai, na China. A WeEn Semiconductors está registrada na cidade de Nanchang, que é a capital da província de Jiangxi, na China. Possui subsidiárias e filiais na cidade de Jilin para produção bipolar, em Xangai e no Reino Unido para pesquisa e desenvolvimento e suporte à produção, em Hong Kong para atividades de vendas e em muitos outros países para vendas e atendimento ao cliente, respectivamente.
Como um participante chave na indústria de semicondutores, a WeEn combina a avançada tecnologia de energia bipolar e o forte recurso da JAC Capital na indústria de manufatura e canais de distribuição chineses, para se concentrar no desenvolvimento de um portfólio completo de produtos de energia bipolar líderes da indústria, incluindo retificadores controlados por silício. diodos de potência, transistores de alta tensão, carboneto de silício que são amplamente utilizados nos mercados automotivo, de telecomunicações, computadores e eletroeletrônicos, eletrodomésticos inteligentes, iluminação e gerenciamento de energia. O objetivo é ajudar os clientes a alcançar maior eficiência de custo e eficiência de produção e contribuir para o desenvolvimento da China e fabricação inteligente global.
O portfólio de produtos da Divisão NXP Bi-Polar (Diodos, Tiristores e Transistores) foi transferido para a WeEn Semiconductors (19 de janeiro de 2017).
Imagem Modelo do Produto Descrição Visão
BYQ28ED-200PLJ Image BYQ28ED-200PLJ BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN inquérito
BT138-800G,127 Image BT138-800G,127 TRIAC 800V 12A TO220AB inquérito
BT138-600G0Q BT138-600G0/SIL3P/STANDARD MAR inquérito
BT131-600/DG,412 Image BT131-600/DG,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 inquérito
BT139B-600F,118 Image BT139B-600F,118 TRIAC 600V 16A D2PAK inquérito
BTA204-600E,127 Image BTA204-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB inquérito
BT134-600D,127 Image BT134-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 inquérito
BT138-600E/DGQ Image BT138-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F inquérito
BT136X-600F,127 Image BT136X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 inquérito
BUJ303B,127 Image BUJ303B,127 TRANS NPN 400V 5A TO220AB inquérito
BT138-600-0TQ BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA inquérito
BTA316B-600C,118 Image BTA316B-600C,118 TRIAC 600V 16A D2PAK inquérito
BT152X-400R,127 Image BT152X-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO-220F inquérito
BYC10B-600,118 Image BYC10B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK inquérito
TYN40-800TQ TYN40-800TQ SIL3P STANDARD MARKI inquérito
BT138X-800E,127 Image BT138X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 inquérito
BT155W-1200TQ Image BT155W-1200TQ SCR 1200V 79A TO247-3 inquérito
BT138B-600G,118 Image BT138B-600G,118 TRIAC 600V 12A D2PAK inquérito
BT151-500C,127 Image BT151-500C,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB inquérito
BT145X-800RQ BT145X-800R/TO-220F/STANDARD M inquérito
BT152X-600R,127 Image BT152X-600R,127 THYRISTOR 650V 20A SOT186A inquérito
BT151-800C,127 Image BT151-800C,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB inquérito
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD inquérito
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