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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, est la joint-venture mondiale entre NXP Semiconductors N.V. et Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors a été officiellement ouvert le 19 janvier 2016 avec son centre d'affaires et d'opérations situé à Shanghai, en Chine. WeEn Semiconductors est enregistrée à Nanchang, la capitale de la province de Jiangxi, en Chine. Elle possède des filiales et des succursales à Jilin pour la production bipolaire, à Shanghai et au Royaume-Uni pour la R & D et le soutien de la production, à Hong Kong pour les activités commerciales et dans de nombreux autres pays pour les ventes et le service clientèle, respectivement.
En tant qu’acteur clé dans l’industrie des semi-conducteurs, WeEn associe la technologie d’alimentation bipolaire avancée et la solide ressource de JAC Capital dans l’industrie manufacturière et les canaux de distribution chinois pour se concentrer sur le développement d’un portefeuille complet de diodes de puissance, transistors haute tension, carbure de silicium, largement utilisés dans les marchés de l'automobile, des télécommunications, de l'informatique et de l'électronique grand public, des appareils ménagers intelligents, de l'éclairage et de la gestion de l'alimentation. L’objectif est d’aider les clients à atteindre une rentabilité et une efficacité de production supérieures et à contribuer au développement de la Chine et de la fabrication intelligente au niveau mondial.
Le portefeuille de produits de la division bi-polaire NXP (diodes, thyristors et transistors) a été transféré à WeEn Semiconductors (19 janv. 2017).
image Modèle de produit La description Vue
BYQ28ED-200PLJ Image BYQ28ED-200PLJ BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN Enquête
BT138-800G,127 Image BT138-800G,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Enquête
BT138-600G0Q BT138-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Enquête
BT131-600/DG,412 Image BT131-600/DG,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Enquête
BT139B-600F,118 Image BT139B-600F,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Enquête
BTA204-600E,127 Image BTA204-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Enquête
BT134-600D,127 Image BT134-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Enquête
BT138-600E/DGQ Image BT138-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F Enquête
BT136X-600F,127 Image BT136X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Enquête
BUJ303B,127 Image BUJ303B,127 TRANS NPN 400V 5A TO220AB Enquête
BT138-600-0TQ BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Enquête
BTA316B-600C,118 Image BTA316B-600C,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Enquête
BT152X-400R,127 Image BT152X-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO-220F Enquête
BYC10B-600,118 Image BYC10B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK Enquête
TYN40-800TQ TYN40-800TQ SIL3P STANDARD MARKI Enquête
BT138X-800E,127 Image BT138X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 Enquête
BT155W-1200TQ Image BT155W-1200TQ SCR 1200V 79A TO247-3 Enquête
BT138B-600G,118 Image BT138B-600G,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Enquête
BT151-500C,127 Image BT151-500C,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Enquête
BT145X-800RQ BT145X-800R/TO-220F/STANDARD M Enquête
BT152X-600R,127 Image BT152X-600R,127 THYRISTOR 650V 20A SOT186A Enquête
BT151-800C,127 Image BT151-800C,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB Enquête
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD Enquête
Disques 873
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