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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, est la joint-venture mondiale entre NXP Semiconductors N.V. et Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors a été officiellement ouvert le 19 janvier 2016 avec son centre d'affaires et d'opérations situé à Shanghai, en Chine. WeEn Semiconductors est enregistrée à Nanchang, la capitale de la province de Jiangxi, en Chine. Elle possède des filiales et des succursales à Jilin pour la production bipolaire, à Shanghai et au Royaume-Uni pour la R & D et le soutien de la production, à Hong Kong pour les activités commerciales et dans de nombreux autres pays pour les ventes et le service clientèle, respectivement.
En tant qu’acteur clé dans l’industrie des semi-conducteurs, WeEn associe la technologie d’alimentation bipolaire avancée et la solide ressource de JAC Capital dans l’industrie manufacturière et les canaux de distribution chinois pour se concentrer sur le développement d’un portefeuille complet de diodes de puissance, transistors haute tension, carbure de silicium, largement utilisés dans les marchés de l'automobile, des télécommunications, de l'informatique et de l'électronique grand public, des appareils ménagers intelligents, de l'éclairage et de la gestion de l'alimentation. L’objectif est d’aider les clients à atteindre une rentabilité et une efficacité de production supérieures et à contribuer au développement de la Chine et de la fabrication intelligente au niveau mondial.
Le portefeuille de produits de la division bi-polaire NXP (diodes, thyristors et transistors) a été transféré à WeEn Semiconductors (19 janv. 2017).
image Modèle de produit La description Vue
BTA206-800ET,127 Image BTA206-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A TO220AB Enquête
BTA216X-600D,127 Image BTA216X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 Enquête
BT137-800E,127 Image BT137-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220AB Enquête
TYN16X-600CTNQ Image TYN16X-600CTNQ TYN16X-600CTN/TO-220F/STANDARD Enquête
BYQ28E-200/H,127 Image BYQ28E-200/H,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Enquête
EC103D1,116 Image EC103D1,116 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Enquête
BT139B-800F,118 Image BT139B-800F,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Enquête
BTA201-800ER,412 Image BTA201-800ER,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Enquête
BTA330Y-800CTQ BTA330Y-800CT/SIL3P/STANDARD M Enquête
BT169D-L,116 SCR 400V 800MA TO92 Enquête
BYV34-600,127 Image BYV34-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220AB Enquête
BT151X-800R/DG,127 Image BT151X-800R/DG,127 THYRISTOR 800V 12A TO-220F Enquête
BT134W-600E,115 Image BT134W-600E,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Enquête
ACTT8-800C0Q ACTT8-800C0/SIL3P/STANDARD MAR Enquête
BTA206-800CT,127 Image BTA206-800CT,127 TRIAC 800V 6A TO220AB Enquête
BTA208X-600D,127 Image BTA208X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Enquête
TYN16-800RTQ Image TYN16-800RTQ IC SCR 16A 800V TO220AB Enquête
ACTT6B-800CNJ ACTT6B-800CN/D2PAK/REEL 13" Q1 Enquête
BT169G-MQP BT169G-M/TO-92/STANDARD MARKIN Enquête
BT137X-600G,127 Image BT137X-600G,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Enquête
BYV32G-200,127 Image BYV32G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 20A I2PAK Enquête
BYR29-600,127 Image BYR29-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Enquête
BT139B-600E,118 Image BT139B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Enquête
BUJD203AX,127 Image BUJD203AX,127 TRANS NPN 425V 4A TO-220F Enquête
BTA410X-800ET,127 Image BTA410X-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Enquête
BTA206X-800ET/L03Q BTA206X-800ET/L03/TO-220F/STAN Enquête
BT151U-800C,127 Image BT151U-800C,127 THYRISTOR 800V 12A SOT533 Enquête
BTA420Y-800CT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Enquête
BT131-600,116 Image BT131-600,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Enquête
BTA312-800C/DG,127 Image BTA312-800C/DG,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Enquête
BYW29E-100,127 Image BYW29E-100,127 DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC Enquête
NCR100W-10LX NCR100W-10L/SC-73/REEL 7" Q1/T Enquête
BTA310X-600C,127 Image BTA310X-600C,127 TRIAC 600V 10A TO220F Enquête
PHE13003C,126 Image PHE13003C,126 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Enquête
BTA308X-800ETQ BTA308X-800ETQ/TO-220F/STANDARD Enquête
BTA316-600E,127 Image BTA316-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Enquête
BT131-600DQP Image BT131-600DQP TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Enquête
TYN20B-800T,118 Image TYN20B-800T,118 SCR 800V 210A D2PAK Enquête
BTA316-600ET/DGQ BTA316-600ET/DG/SIL3P/STANDARD Enquête
BT139-800E,127 Image BT139-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220AB Enquête
BTA310-800E,127 Image BTA310-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Enquête
BTA216B-600B,118 Image BTA216B-600B,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Enquête
BTA208-600D,127 Image BTA208-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Enquête
BUJ103A,127 Image BUJ103A,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Enquête
BYC8B-600,118 Image BYC8B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK Enquête
BTA316X-600B,127 Image BTA316X-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Enquête
BT139B-800E,118 Image BT139B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 16A D2PAK Enquête
ACTT8-800C0TQ ACTT8-800C0T/SIL3P/STANDARD MA Enquête
BTA410-800ET,127 Image BTA410-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Enquête
BTA212X-600E,127 Image BTA212X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Enquête
Disques 873