بطاقة خط

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- شركة WeEn Semiconductors Co.، Ltd هي المشروع المشترك العالمي بين NXP Semiconductors N.V و Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). تم افتتاح WeEn Semiconductors رسميا في 19 يناير 2016 مع مركز الأعمال والعمليات الموجود في شنغهاي ، الصين. شركة WeEn Semiconductors مسجلة في مدينة نانتشانغ التي تعد عاصمة مقاطعة جيانجزي ، الصين. وتمتلك بالكامل الشركات التابعة والفروع في مدينة جيلين للإنتاج ثنائي القطب ، في شنغهاي والمملكة المتحدة للبحث والتطوير ودعم الإنتاج ، في هونغ كونغ لأنشطة المبيعات ، وفي العديد من البلدان الأخرى لخدمات المبيعات والعملاء ، على التوالي.
وباعتبارها لاعباً رئيسياً في صناعة أشباه الموصلات ، فإن WeEn تجمع بين تكنولوجيا الطاقة المتطورة ثنائية القطب والمورد القوي لشركة JAC Capital في مجال الصناعة التحويلية وقنوات التوزيع الصينية ، للتركيز على تطوير مجموعة كاملة من منتجات الطاقة ثنائية القطبية الرائدة في الصناعة بما في ذلك مقومات السيلكون الخاضعة للرقابة ، الثنائيات الطاقة ، والترانزستورات عالية الجهد ، وكربيد السيليكون التي تستخدم على نطاق واسع في السيارات والاتصالات السلكية واللاسلكية ، وأجهزة الكمبيوتر والالكترونيات الاستهلاكية ، والأجهزة المنزلية الذكية ، والإضاءة ، وأسواق إدارة الطاقة. والهدف هو مساعدة العملاء على تحقيق كفاءة أعلى في التكاليف وكفاءة الإنتاج والمساهمة في تطوير الصين والتصنيع الذكي العالمي.
تم نقل مجموعة منتجات NXP Bi-Polar Division (Diodes، Thyristors & Transistors) إلى WeEn Semiconductors (يناير 19، 2017).
صورة رقم القطعة وصف رأي
BYQ28ED-200PLJ Image BYQ28ED-200PLJ BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN تحقيق
BT138-800G,127 Image BT138-800G,127 TRIAC 800V 12A TO220AB تحقيق
BT138-600G0Q BT138-600G0/SIL3P/STANDARD MAR تحقيق
BT131-600/DG,412 Image BT131-600/DG,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 تحقيق
BT139B-600F,118 Image BT139B-600F,118 TRIAC 600V 16A D2PAK تحقيق
BTA204-600E,127 Image BTA204-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB تحقيق
BT134-600D,127 Image BT134-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 تحقيق
BT138-600E/DGQ Image BT138-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F تحقيق
BT136X-600F,127 Image BT136X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 تحقيق
BUJ303B,127 Image BUJ303B,127 TRANS NPN 400V 5A TO220AB تحقيق
BT138-600-0TQ BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA تحقيق
BTA316B-600C,118 Image BTA316B-600C,118 TRIAC 600V 16A D2PAK تحقيق
BT152X-400R,127 Image BT152X-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO-220F تحقيق
BYC10B-600,118 Image BYC10B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK تحقيق
TYN40-800TQ TYN40-800TQ SIL3P STANDARD MARKI تحقيق
BT138X-800E,127 Image BT138X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 تحقيق
BT155W-1200TQ Image BT155W-1200TQ SCR 1200V 79A TO247-3 تحقيق
BT138B-600G,118 Image BT138B-600G,118 TRIAC 600V 12A D2PAK تحقيق
BT151-500C,127 Image BT151-500C,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB تحقيق
BT145X-800RQ BT145X-800R/TO-220F/STANDARD M تحقيق
BT152X-600R,127 Image BT152X-600R,127 THYRISTOR 650V 20A SOT186A تحقيق
BT151-800C,127 Image BT151-800C,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB تحقيق
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD تحقيق
سجلات 873
سابق3456789101112131415161718التالينهاية