Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
MAC223A6,127 Image MAC223A6,127 TRIAC 400V 25A TO220AB Inchiesta
BYR5D-1200PJ BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M Inchiesta
BYC5-600,127 Image BYC5-600,127 DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC Inchiesta
WNS30H100CQ WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKI Inchiesta
BTA2008-1000D,126 BTA2008-1000D/TO-92/STANDARD M Inchiesta
NCR100-8LR NCR100-8L/TO-236AB/REEL 7" Q3/ Inchiesta
BT136X-600E/DG,127 Image BT136X-600E/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220F Inchiesta
BT131-600/DG,116 Image BT131-600/DG,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT137-600-0Q Image BT137-600-0Q TRIAC 600V 8A SIL3P Inchiesta
BT136-600,127 Image BT136-600,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Inchiesta
BUJ105A,127 Image BUJ105A,127 TRANS NPN 400V 8A TO220AB Inchiesta
OT391,412 Image OT391,412 TRIAC TO92-3 Inchiesta
ACTT10B-800CTNJ ACTT10B-800CTNJ/D2PAK Inchiesta
BYC15X-600,127 Image BYC15X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 15A TO220F Inchiesta
BT138X-800,127 Image BT138X-800,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA212X-600D,127 Image BTA212X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BT169G,126 Image BT169G,126 THYRISTOR 600V 0.8A SOT54 Inchiesta
BTA204-800C/DG,127 Image BTA204-800C/DG,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Inchiesta
PHD13005,127 Image PHD13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Inchiesta
BT152-600R,127 Image BT152-600R,127 THYRISTOR 20A 650V TO220AB Inchiesta
Z0109NA0,412 Image Z0109NA0,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
ACTT8B-800C0TJ ACTT8B-800C0T/D2PAK/REEL 13" Q Inchiesta
ACTT16-800CTNQ ACTT16-800CTN/SIL3P/STANDARD M Inchiesta
Z0107NN,135 Image Z0107NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BT258-500R,127 Image BT258-500R,127 THYRISTOR 500V 8A TO220AB Inchiesta
BT168E,112 Image BT168E,112 THYRISTOR .8A 500V TO-92 Inchiesta
BTA312X-600E,127 Image BTA312X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA312Y-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA225-600B,127 Image BTA225-600B,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Inchiesta
BT139-600E/DG,127 Image BT139-600E/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
Z0107NA,412 Image Z0107NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BT138X-600G,127 Image BT138X-600G,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Inchiesta
ACTT16B-800CTNJ ACTT16B-800CTN/D2PAK/REEL 13 Inchiesta
BTA204-600C,127 Image BTA204-600C,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Inchiesta
BTA440Z-800BTQ Image BTA440Z-800BTQ TRIAC STANDARD 800V 40A TO3P-3 Inchiesta
BYC30W-600PT2Q BYC30W-600PT2Q/TO247/STANDARD MA Inchiesta
BT137B-800,118 Image BT137B-800,118 TRIAC 800V 8A D2PAK Inchiesta
BTA216X-800B,127 Image BTA216X-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Inchiesta
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CT/I2PAK/STANDARD M Inchiesta
BYV34X-600,127 Image BYV34X-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220-3 Inchiesta
BT151-1000RT,127 Image BT151-1000RT,127 THYRISTOR 1000V 12A TO220AB Inchiesta
BT151S-800R,118 Image BT151S-800R,118 THYRISTOR 800V 12A DPAK Inchiesta
BT151-650C,127 Image BT151-650C,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Inchiesta
BTA204-800E,127 Image BTA204-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220AB Inchiesta
ACTT8X-800C0Q ACTT8X-800C0/TO-220F/STANDARD Inchiesta
ACTT12-800CQ ACTT12-800C/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA316B-800B,118 Image BTA316B-800B,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Inchiesta
BYC8-1200PQ BYC8-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MA Inchiesta
ACT108-800EQP Image ACT108-800EQP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Inchiesta
BT139B-800G,118 Image BT139B-800G,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Inchiesta
Records 873