Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
OT413,127 TRIAC STANDARD 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BT137S-600,118 Image BT137S-600,118 TRIAC STANDARD 600V 8A DPAK Inchiesta
BTA208-800B/DG,127 Image BTA208-800B/DG,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
BT131-800EQP BT131-800E/TO-92/STANDARD MARK Inchiesta
BUJ403A,127 Image BUJ403A,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Inchiesta
BT137-600/DG,127 Image BT137-600/DG,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BTA212X-800E,127 Image BTA212X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BT137-600,127 Image BT137-600,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BTA216B-800B,118 Image BTA216B-800B,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Inchiesta
BTA2008-600E,412 Image BTA2008-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Inchiesta
ACT108-600E,412 Image ACT108-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BTA204W-800C,135 Image BTA204W-800C,135 TRIAC 800V 1A SC73 Inchiesta
BTA201-600E,112 Image BTA201-600E,112 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA2008-600E/L02EP BTA2008-600E/L02/TO-92/STANDAR Inchiesta
OT384,112 Image OT384,112 TRIAC TO92-3 Inchiesta
BTA316-600E/DGQ Image BTA316-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BT137-800,127 Image BT137-800,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
BTA410-600CT,127 Image BTA410-600CT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA212-600B/DG,127 Image BTA212-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
NXL0840,412 Image NXL0840,412 SCR LOGIC LEVEL 400V 0.5A TO-92 Inchiesta
BTA204S-800C,118 Image BTA204S-800C,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
BT136B-800E,118 Image BT136B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 4A D2PAK Inchiesta
NXPSC04650Q Image NXPSC04650Q DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC Inchiesta
MAC97A8,116 Image MAC97A8,116 TRIAC SENS GATE 600V 0.6A TO92-3 Inchiesta
BTA212X-600F,127 Image BTA212X-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220F Inchiesta
BTA312B-800C,118 Image BTA312B-800C,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Inchiesta
BYV29G-600,127 Image BYV29G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK Inchiesta
BT137X-600D,127 Image BT137X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BTA201-800ER,112 Image BTA201-800ER,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
WNS20S100CBJ Image WNS20S100CBJ WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ Inchiesta
BT137X-600F/L02Q BT137X-600F/L02/TO-220F/STANDA Inchiesta
BTA316-800CTQ BTA316-800CTQ/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA204X-800C/L03Q BTA204X-800C/L03/TO-220F/STAND Inchiesta
BTA212X-800B,127 Image BTA212X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA204X-600F,127 Image BTA204X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220F Inchiesta
BT138X-800/L02Q BT138X-800/L02/TO-220F/STANDAR Inchiesta
BYQ28X-200,127 Image BYQ28X-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220-3 Inchiesta
BTA201-800ER,116 Image BTA201-800ER,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
TYN16X-800RT,127 Image TYN16X-800RT,127 IC SCR 16A 800V TO-220F Inchiesta
BT1308W-400D,135 Image BT1308W-400D,135 TRIAC SENS GATE 400V 0.8A SC73 Inchiesta
BTA412Y-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BUJ106A,127 Image BUJ106A,127 TRANS NPN 400V 10A TO220AB Inchiesta
BT139X-800,127 Image BT139X-800,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Inchiesta
BT151X-800C,127 Image BT151X-800C,127 THYRISTOR 800V 12A TO-220F Inchiesta
PHE13003A,412 Image PHE13003A,412 TRANS NPN 400V 1A SOT54 Inchiesta
BYV42G-200,127 Image BYV42G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 30A I2PAK Inchiesta
BT151-800R,127 Image BT151-800R,127 THYRISTOR 12A 800V TO220AB Inchiesta
BTA310-600D,127 Image BTA310-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA208X-800B/L02Q BTA208X-800B/L02/TO-220F/STAND Inchiesta
BTA201-800E,412 Image BTA201-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
Records 873