Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
PHE13005X,127 Image PHE13005X,127 TRANS NPN 400V 4A TO-220F Inchiesta
BYC20X-600PQ Image BYC20X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F Inchiesta
BT148W-600R,115 Image BT148W-600R,115 THYRISTOR 1A 600V SOT-223 Inchiesta
BT136-600D/DG,127 Image BT136-600D/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Inchiesta
NCR100-8MR NCR100-8M/TO-236AB/REEL 7" Q3/ Inchiesta
BYV79E-200,127 Image BYV79E-200,127 DIODE GEN PURP 200V 14A TO220AC Inchiesta
BTA216B-600E,118 Image BTA216B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Inchiesta
MAC97A8/DG,412 Image MAC97A8/DG,412 TRIAC 600V 0.6A TO-92 Inchiesta
TYN16X-600RT,127 Image TYN16X-600RT,127 IC SCR 16A 600V TO-220F Inchiesta
BTA225-600BT,127 Image BTA225-600BT,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Inchiesta
BTA212-600E,127 Image BTA212-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
BT131-600,412 Image BT131-600,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT139-800,127 Image BT139-800,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BT137-800G0Q BT137-800G0/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
Z0109MN0,135 Image Z0109MN0,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BT169H-LML BT169H-L/TO-92/STANDARD MARKIN Inchiesta
BTA310-800D,127 Image BTA310-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Inchiesta
BTA316-800E,127 Image BTA316-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220AB Inchiesta
MCR08BT1,115 Image MCR08BT1,115 THYRISTOR 0.8A 200V SOT223 Inchiesta
BTA204S-600F,118 Image BTA204S-600F,118 TRIAC 600V 4A DPAK Inchiesta
BT145-800R,127 Image BT145-800R,127 THYRISTOR 25A 800V TO220AB Inchiesta
Z0107NA0/L02EP Z0107NA0/L02/TO-92/STANDARD MA Inchiesta
BT136B-600E,118 Image BT136B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A D2PAK Inchiesta
BTA410Y-800BT,127 TRIAC 800V 10A TO220AB Inchiesta
BT152B-400R,118 Image BT152B-400R,118 THYRISTOR 450V 20A D2PAK Inchiesta
BYT79X-600,127 Image BYT79X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F Inchiesta
BTA312X-800C,127 Image BTA312X-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BT137-600E,127 Image BT137-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Inchiesta
BT152-500RT,127 Image BT152-500RT,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Inchiesta
BTA225-800B,127 Image BTA225-800B,127 TRIAC 800V 25A TO220AB Inchiesta
BTA206X-800ET:127 Image BTA206X-800ET:127 TRIAC SENS GATE 800V 6A TO220F Inchiesta
BTA41-800BQ Image BTA41-800BQ BTA41-800BQ/II TO3P/STANDARD MAR Inchiesta
Z0103NN,135 Image Z0103NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BTA410Y-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
NXPSC20650Q Image NXPSC20650Q DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC Inchiesta
BT169G/DG,126 Image BT169G/DG,126 THYRISTOR 600V 0.8A TO-92 Inchiesta
BYW29E-200,127 Image BYW29E-200,127 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Inchiesta
BYV415J-600PQ BYV415J-600PQ TO3PF STANDARD M Inchiesta
ACTT2S-800E,118 Image ACTT2S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 2A DPAK Inchiesta
TYN20B-600T,118 Image TYN20B-600T,118 SCR 600V 210A D2PAK Inchiesta
OT408,135 Image OT408,135 TRIAC STANDARD TO261-4 Inchiesta
BT138B-600F,118 Image BT138B-600F,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
BT134-800,127 Image BT134-800,127 TRIAC 800V 4A SOT82-3 Inchiesta
BTA316X-600C,127 Image BTA316X-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BT138Y-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
TYN60K-1400TQ Image TYN60K-1400TQ TYN60K-1400TQ TO3P Inchiesta
Z0109NN0,135 Image Z0109NN0,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BT136S-600D,118 Image BT136S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Inchiesta
BTA410-600ET,127 Image BTA410-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA308X-800C0Q Image BTA308X-800C0Q TRIAC 800V 8A Inchiesta
Records 873
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