Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BTA316B-600E,118 Image BTA316B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Inchiesta
BTA204W-800E,135 Image BTA204W-800E,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BT132-600D,412 Image BT132-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA316X-600C/L02Q BTA316X-600C/L02/TO-220F/STAND Inchiesta
BTA312X-800B,127 Image BTA312X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BT151S-500L,118 Image BT151S-500L,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Inchiesta
BTA312B-800B,118 Image BTA312B-800B,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Inchiesta
BTA316-800B,127 Image BTA316-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BTA310X-800C,127 Image BTA310X-800C,127 TRIAC 800V 10A TO220F Inchiesta
BTA308X-800F0/L03Q BTA308X-800F0 L03 STANDARD Inchiesta
PHE13003A,126 Image PHE13003A,126 TRANS NPN 400V 1A SOT54 Inchiesta
NXPS20H100C,127 Image NXPS20H100C,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Inchiesta
BT132-600D,116 Image BT132-600D,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BYV32E-100,127 Image BYV32E-100,127 DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB Inchiesta
BT136-600E/L01,127 Image BT136-600E/L01,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Inchiesta
BT169G-L,412 Image BT169G-L,412 THYRISTOR 600V SOT54 Inchiesta
BTA330-800BTQ Image BTA330-800BTQ TRIAC 800V 30A TO220AB Inchiesta
BTA204X-600B,127 Image BTA204X-600B,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Inchiesta
BTA201-800E,112 Image BTA201-800E,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BYR29X-600,127 Image BYR29X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
BTA316-600D,127 Image BTA316-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA316X-800E,127 Image BTA316X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220-3 Inchiesta
BYQ30E-200,127 Image BYQ30E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB Inchiesta
BTA316-800C,127 Image BTA316-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BTA416Y-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA208-800F,127 Image BTA208-800F,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
ACT108-600E,126 Image ACT108-600E,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BT138-600D,127 Image BT138-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
BT137X-600/L02Q Image BT137X-600/L02Q TRIAC 600V 8A Inchiesta
Z0109MN,135 Image Z0109MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BYC8X-600,127 Image BYC8X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
BT134W-600D,115 Image BT134W-600D,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BTA208-600E,127 Image BTA208-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Inchiesta
BYC20-600,127 Image BYC20-600,127 DIODE GEN PURP 500V 20A TO220AC Inchiesta
EC103D1,412 Image EC103D1,412 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Inchiesta
BT138X-800F,127 Image BT138X-800F,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Inchiesta
OB2003/001V OB2003/001V/NAU000/NO MARK*CHIPS Inchiesta
BTA206X-800CT/L01, Image BTA206X-800CT/L01, TRIAC 800V 6A TO220F Inchiesta
Z0103MA,126 Image Z0103MA,126 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT169DEP BT169D/TO-92/STANDARD MARKING Inchiesta
BTA201-800ER,126 Image BTA201-800ER,126 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
Z0103MN0,135 Image Z0103MN0,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BUJ302A,127 Image BUJ302A,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Inchiesta
BT151U-650C,127 Image BT151U-650C,127 THYRISTOR 650V 12A SOT533 Inchiesta
BTA204S-600D,118 Image BTA204S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Inchiesta
PMDPB760ENX MOSFET AXIAL Inchiesta
BTA140-600-0Q BTA140-600-0/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BTA2008-600EQP BTA2008-600E/TO-92/STANDARD MA Inchiesta
BTA316-600BT,127 Image BTA316-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BT134-600E,127 Image BT134-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Inchiesta
Records 873