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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
MAC223A6,127 Image MAC223A6,127 TRIAC 400V 25A TO220AB Investigación
BYR5D-1200PJ BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M Investigación
BYC5-600,127 Image BYC5-600,127 DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC Investigación
WNS30H100CQ WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKI Investigación
BTA2008-1000D,126 BTA2008-1000D/TO-92/STANDARD M Investigación
NCR100-8LR NCR100-8L/TO-236AB/REEL 7" Q3/ Investigación
BT136X-600E/DG,127 Image BT136X-600E/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220F Investigación
BT131-600/DG,116 Image BT131-600/DG,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BT137-600-0Q Image BT137-600-0Q TRIAC 600V 8A SIL3P Investigación
BT136-600,127 Image BT136-600,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Investigación
BUJ105A,127 Image BUJ105A,127 TRANS NPN 400V 8A TO220AB Investigación
OT391,412 Image OT391,412 TRIAC TO92-3 Investigación
ACTT10B-800CTNJ ACTT10B-800CTNJ/D2PAK Investigación
BYC15X-600,127 Image BYC15X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 15A TO220F Investigación
BT138X-800,127 Image BT138X-800,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Investigación
BTA212X-600D,127 Image BTA212X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Investigación
BT169G,126 Image BT169G,126 THYRISTOR 600V 0.8A SOT54 Investigación
BTA204-800C/DG,127 Image BTA204-800C/DG,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Investigación
PHD13005,127 Image PHD13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Investigación
BT152-600R,127 Image BT152-600R,127 THYRISTOR 20A 650V TO220AB Investigación
Z0109NA0,412 Image Z0109NA0,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
ACTT8B-800C0TJ ACTT8B-800C0T/D2PAK/REEL 13" Q Investigación
ACTT16-800CTNQ ACTT16-800CTN/SIL3P/STANDARD M Investigación
Z0107NN,135 Image Z0107NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
BT258-500R,127 Image BT258-500R,127 THYRISTOR 500V 8A TO220AB Investigación
BT168E,112 Image BT168E,112 THYRISTOR .8A 500V TO-92 Investigación
BTA312X-600E,127 Image BTA312X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Investigación
BTA312Y-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BTA225-600B,127 Image BTA225-600B,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Investigación
BT139-600E/DG,127 Image BT139-600E/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
Z0107NA,412 Image Z0107NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BT138X-600G,127 Image BT138X-600G,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Investigación
ACTT16B-800CTNJ ACTT16B-800CTN/D2PAK/REEL 13 Investigación
BTA204-600C,127 Image BTA204-600C,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Investigación
BTA440Z-800BTQ Image BTA440Z-800BTQ TRIAC STANDARD 800V 40A TO3P-3 Investigación
BYC30W-600PT2Q BYC30W-600PT2Q/TO247/STANDARD MA Investigación
BT137B-800,118 Image BT137B-800,118 TRIAC 800V 8A D2PAK Investigación
BTA216X-800B,127 Image BTA216X-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Investigación
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CT/I2PAK/STANDARD M Investigación
BYV34X-600,127 Image BYV34X-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220-3 Investigación
BT151-1000RT,127 Image BT151-1000RT,127 THYRISTOR 1000V 12A TO220AB Investigación
BT151S-800R,118 Image BT151S-800R,118 THYRISTOR 800V 12A DPAK Investigación
BT151-650C,127 Image BT151-650C,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Investigación
BTA204-800E,127 Image BTA204-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220AB Investigación
ACTT8X-800C0Q ACTT8X-800C0/TO-220F/STANDARD Investigación
ACTT12-800CQ ACTT12-800C/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
BTA316B-800B,118 Image BTA316B-800B,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Investigación
BYC8-1200PQ BYC8-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MA Investigación
ACT108-800EQP Image ACT108-800EQP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Investigación
BT139B-800G,118 Image BT139B-800G,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Investigación
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