Tarjeta de línea
WeEn Semiconductors Co., Ltd
- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen |
Número de pieza |
Descripción |
Ver |
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MAC223A6,127 |
TRIAC 400V 25A TO220AB |
Investigación |
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BYR5D-1200PJ |
BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M |
Investigación |
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BYC5-600,127 |
DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC |
Investigación |
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WNS30H100CQ |
WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKI |
Investigación |
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BTA2008-1000D,126 |
BTA2008-1000D/TO-92/STANDARD M |
Investigación |
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NCR100-8LR |
NCR100-8L/TO-236AB/REEL 7" Q3/ |
Investigación |
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BT136X-600E/DG,127 |
TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220F |
Investigación |
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BT131-600/DG,116 |
TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 |
Investigación |
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BT137-600-0Q |
TRIAC 600V 8A SIL3P |
Investigación |
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BT136-600,127 |
TRIAC 600V 4A TO220AB |
Investigación |
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BUJ105A,127 |
TRANS NPN 400V 8A TO220AB |
Investigación |
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OT391,412 |
TRIAC TO92-3 |
Investigación |
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ACTT10B-800CTNJ |
ACTT10B-800CTNJ/D2PAK |
Investigación |
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BYC15X-600,127 |
DIODE GEN PURP 500V 15A TO220F |
Investigación |
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BT138X-800,127 |
TRIAC 800V 12A TO220-3 |
Investigación |
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BTA212X-600D,127 |
TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 |
Investigación |
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BT169G,126 |
THYRISTOR 600V 0.8A SOT54 |
Investigación |
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BTA204-800C/DG,127 |
TRIAC 800V 4A TO220AB |
Investigación |
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PHD13005,127 |
TRANS NPN 400V 4A TO220AB |
Investigación |
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BT152-600R,127 |
THYRISTOR 20A 650V TO220AB |
Investigación |
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Z0109NA0,412 |
TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 |
Investigación |
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ACTT8B-800C0TJ |
ACTT8B-800C0T/D2PAK/REEL 13" Q |
Investigación |
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ACTT16-800CTNQ |
ACTT16-800CTN/SIL3P/STANDARD M |
Investigación |
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Z0107NN,135 |
TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 |
Investigación |
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BT258-500R,127 |
THYRISTOR 500V 8A TO220AB |
Investigación |
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BT168E,112 |
THYRISTOR .8A 500V TO-92 |
Investigación |
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BTA312X-600E,127 |
TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 |
Investigación |
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BTA312Y-600C,127 |
TRIAC 600V 12A TO220AB |
Investigación |
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BTA225-600B,127 |
TRIAC 600V 25A TO220AB |
Investigación |
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BT139-600E/DG,127 |
TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB |
Investigación |
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Z0107NA,412 |
TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 |
Investigación |
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BT138X-600G,127 |
TRIAC 600V 12A TO220-3 |
Investigación |
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ACTT16B-800CTNJ |
ACTT16B-800CTN/D2PAK/REEL 13 |
Investigación |
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BTA204-600C,127 |
TRIAC 600V 4A TO220AB |
Investigación |
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BTA440Z-800BTQ |
TRIAC STANDARD 800V 40A TO3P-3 |
Investigación |
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BYC30W-600PT2Q |
BYC30W-600PT2Q/TO247/STANDARD MA |
Investigación |
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BT137B-800,118 |
TRIAC 800V 8A D2PAK |
Investigación |
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BTA216X-800B,127 |
TRIAC 800V 16A TO220-3 |
Investigación |
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BTA312G-600CTQ |
BTA312G-600CT/I2PAK/STANDARD M |
Investigación |
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BYV34X-600,127 |
DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220-3 |
Investigación |
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BT151-1000RT,127 |
THYRISTOR 1000V 12A TO220AB |
Investigación |
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BT151S-800R,118 |
THYRISTOR 800V 12A DPAK |
Investigación |
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BT151-650C,127 |
THYRISTOR 12A 650V TO220AB |
Investigación |
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BTA204-800E,127 |
TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220AB |
Investigación |
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ACTT8X-800C0Q |
ACTT8X-800C0/TO-220F/STANDARD |
Investigación |
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ACTT12-800CQ |
ACTT12-800C/SIL3P/STANDARD MAR |
Investigación |
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BTA316B-800B,118 |
TRIAC 800V 16A D2PAK |
Investigación |
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BYC8-1200PQ |
BYC8-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MA |
Investigación |
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ACT108-800EQP |
TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 |
Investigación |
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BT139B-800G,118 |
TRIAC 800V 16A D2PAK |
Investigación |