BTA2008-1000D,126 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BTA2008-1000D,126, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BTA2008-1000D,126 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BTA2008-1000D,126 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BTA2008-1000D,126
- Número de pieza:
- BTA2008-1000D,126
- Fabricante:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Descripción:
- BTA2008-1000D/TO-92/STANDARD M
- Cantidad de stock:
- 23972 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- BTA2008-1000D,126.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Estado Off: | 1kV |
| Tensión - disparo de la puerta (VGT) (Max): | 1V |
| Tipo triac: | Standard |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | 934066763126 BTA2008-1000D126 |
| Temperatura de funcionamiento: | 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Descripción detallada: | TRIAC Standard 1kV 800mA Through Hole TO-92-3 |
| Corriente - En estado (It (RMS)) (Max): | 800mA |
| Corriente -. No Rep sobretensiones 50, 60 Hz (ITSM): | 9A, 9.9A |
| Corriente - Hold (Ih) (Max): | 10mA |
| Corriente - disparo de la puerta (lgt) (Max): | 5mA |
| Configuración: | Single |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BTA2008-1000D,126
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos