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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BTA2008-1000D/L0EP BTA2008-1000D/L01/TO-92/STANDA Investigación
BTA312X-600D,127 Image BTA312X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Investigación
BTA212-600F,127 Image BTA212-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BYV29FX-600,127 Image BYV29FX-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F Investigación
BTA216X-600E,127 Image BTA216X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 Investigación
ACTT12B-800CJ ACTT12B-800C/D2PAK/REEL 13" Q1 Investigación
BT139X-600G,127 Image BT139X-600G,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Investigación
OT407,412 TRIAC SOT54A Investigación
Z0109NN,135 Image Z0109NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
BTH151S-650R,118 Image BTH151S-650R,118 THYRISTOR 12A 650V DPAK Investigación
BTA425Y-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220AB Investigación
BTA202X-800D,127 Image BTA202X-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220-3 Investigación
TOPT16-800C0,127 TOPT16-800C0,127 SIL3P Investigación
BTA330Y-800BTQ TRIAC STANDARD 800V 30A TO220-3 Investigación
BTA316X-800B0,127 Image BTA316X-800B0,127 TRIAC 800V 16A TO220F Investigación
Z0103MA,412 Image Z0103MA,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA312B-800E,118 Image BTA312B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Investigación
BTA312-600CT,127 Image BTA312-600CT,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BTA206X-800CT/L03Q BTA206X-800CT/L03/TO-220F/STAN Investigación
BTA420X-800CT/DG,1 Image BTA420X-800CT/DG,1 TRIAC 800V 20A TO220F Investigación
BT145-800RTQ BT145-800RTQ SIL3P STANDARD Investigación
BTA201-600E/L02EP BTA201-600E/L02/TO-92/STANDARD Investigación
BT169G-LML BT169G-L/TO-92/STANDARD MARKIN Investigación
BUJD203A,127 Image BUJD203A,127 TRANS NPN 425V 4A TO220AB Investigación
Z0109MA,412 Image Z0109MA,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BT139B-600,118 Image BT139B-600,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BT136-800E,127 Image BT136-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220AB Investigación
BYV25X-600,127 Image BYV25X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Investigación
BTA412Y-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BT134-800E,127 Image BT134-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A SOT82-3 Investigación
BT236X-800G/L02Q BT236X-800G/L02/TO-220F/STANDA Investigación
BT137-600E/DG Image BT137-600E/DG TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Investigación
BTA208X-1000C,127 Image BTA208X-1000C,127 TRIAC ALTERNISTOR 1KV 8A TO220-3 Investigación
BUJ403A/DG,127 Image BUJ403A/DG,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Investigación
BT152-400R,127 Image BT152-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO220AB Investigación
BTA206X-800CT:127 Image BTA206X-800CT:127 TRIAC 800V 6A TO220F Investigación
BTA201-600B,112 Image BTA201-600B,112 TRIAC 600V 1A TO92-3 Investigación
BUJD103AD,118 Image BUJD103AD,118 TRANS NPN 400V 4A DPAK Investigación
BTA204X-600C,127 Image BTA204X-600C,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Investigación
BTA212-600D,127 Image BTA212-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Investigación
BT151-500L,127 Image BT151-500L,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Investigación
BTA312X-800C/L02Q BTA312X-800C/L02/TO-220F/STAND Investigación
Z0107MN0,135 Image Z0107MN0,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BTA410X-600ET,127 Image BTA410X-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220F Investigación
BYC8-600,127 Image BYC8-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Investigación
BT137-600/L01,127 Image BT137-600/L01,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Investigación
Z0103MA0,412 Image Z0103MA0,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BT137-800G0TQ Image BT137-800G0TQ TRIAC 800V 8A Investigación
BT139B-600G,118 Image BT139B-600G,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BT258X-500R,127 Image BT258X-500R,127 THYRISTOR 500V 8A SOT186A Investigación
registros 873