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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
Z0107MA,412 Image Z0107MA,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BT169D,112 Image BT169D,112 THYRISTOR 400V 0.8A TO92-3 Investigación
BYC10X-600PQ Image BYC10X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F Investigación
BT139X-600F/DG,127 Image BT139X-600F/DG,127 TRIAC 600V 16A TO220F Investigación
BT136X-600D,127 Image BT136X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220-3 Investigación
BT148-400R,127 Image BT148-400R,127 THYRISTOR 400V 4A SOT82 Investigación
ACTT6G-800E,127 Image ACTT6G-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A I2PAK Investigación
BTA312X-800E,127 Image BTA312X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 Investigación
BT137X-600E,127 Image BT137X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Investigación
WNS20S100CQ WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKI Investigación
BYC10-600CT,127 Image BYC10-600CT,127 DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB Investigación
BT151-650L,127 Image BT151-650L,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Investigación
BTA216X-800B/L02Q BTA216X-800B/L02/TO-220F/STAND Investigación
BT131-800D,116 Image BT131-800D,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BT151X-650C,127 Image BT151X-650C,127 THYRISTOR 650V 12A TO-220F Investigación
BTA310X-600E,127 Image BTA310X-600E,127 TRIAC 600V 10A TO220F Investigación
OT407,116 Image OT407,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BT137S-600D,118 Image BT137S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK Investigación
BT137S-600G,118 Image BT137S-600G,118 TRIAC 600V 8A DPAK Investigación
BYV430J-600PQ DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P Investigación
BTA204W-600C,135 Image BTA204W-600C,135 TRIAC 600V 1A SC73 Investigación
BT136S-800F,118 Image BT136S-800F,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
BTA212-800B,127 Image BTA212-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BT136-600E,127 Image BT136-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
BTA208X-1000C0,127 Image BTA208X-1000C0,127 TRIAC 1KV 8A TO220-3 Investigación
ACTT4X-800C,127 Image ACTT4X-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220F Investigación
BTA202X-600E,127 Image BTA202X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 2A TO220-3 Investigación
BT138B-800E,118 Image BT138B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Investigación
BTA216B-600D,118 Image BTA216B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Investigación
BTA225B-800BTJ BTA225B-800BT/D2PAK/REEL 13" Q Investigación
BYQ72EK-200Q DIODE ARRAY GP 200V 15A TO3P Investigación
BTA410Y-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Investigación
BTA204W-600F,135 Image BTA204W-600F,135 TRIAC 600V 1A SC73 Investigación
BUJ103AX,127 Image BUJ103AX,127 TRANS NPN 400V 4A TO-220F Investigación
BTA2008-600D,412 Image BTA2008-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BTA204S-600C,118 Image BTA204S-600C,118 TRIAC 600V 4A DPAK Investigación
BT139-600E,127 Image BT139-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BYQ28E-200,127 Image BYQ28E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Investigación
BYV29X-500,127 Image BYV29X-500,127 DIODE GEN PURP 500V 9A TO220F Investigación
Z0109NA,116 Image Z0109NA,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BTA425X-800BT/L02Q BTA425X-800BT/L02/TO-220F/STAN Investigación
BTA208S-600F,118 Image BTA208S-600F,118 TRIAC 600V 8A DPAK Investigación
BTA208S-600B,118 Image BTA208S-600B,118 TRIAC 600V 8A DPAK Investigación
BT258X-800R,127 Image BT258X-800R,127 THYRISTOR 800V 8A SOT186A Investigación
BT137X-800/L02,127 Image BT137X-800/L02,127 TRIAC 800V 8A TO220F Investigación
BTA316-800ET,127 Image BTA316-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220AB Investigación
BT139-600-0Q BT139-600-0/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
ACTT2X-800E,127 Image ACTT2X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220F Investigación
BUJD203AD,118 Image BUJD203AD,118 TRANS NPN 425V 4A DPAK Investigación
BTA316-800C/DGQ Image BTA316-800C/DGQ TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
registros 873