Tarjeta de línea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BTA312B-600CT,118 Image BTA312B-600CT,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Investigación
BT136-600/DG,127 Image BT136-600/DG,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Investigación
NXPS20S100C,127 Image NXPS20S100C,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Investigación
NXPS20S110C,127 DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P Investigación
BUJ302AX,127 Image BUJ302AX,127 TRANS NPN 400V 4A TO-220F Investigación
BTA420X-800CT/L02Q Image BTA420X-800CT/L02Q TRIAC 800V 20A Investigación
BT151-500R,127 Image BT151-500R,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Investigación
BT258U-600R,127 Image BT258U-600R,127 THYRISTOR 600V 8A IPAK Investigación
BT138Y-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Investigación
TOPT12-800C0,127 TOPT12-800C0,127 SIL3P Investigación
BTA204W-600D,135 Image BTA204W-600D,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BTA410X-600CT,127 Image BTA410X-600CT,127 TRIAC 600V 10A TO220F Investigación
BT137X-600,127 Image BT137X-600,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Investigación
BTA216-600D,127 Image BTA216-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BYQ28E-200E,127 Image BYQ28E-200E,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Investigación
BT138-600,127 Image BT138-600,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BTA202X-800E/L01,1 Image BTA202X-800E/L01,1 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220F Investigación
BT138-600/DG,127 Image BT138-600/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
NCR100W-12MX NCR100W-12M/SC-73/REEL 7" Q1/T Investigación
BTA316B-600BT,118 Image BTA316B-600BT,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BYV42E-200,127 Image BYV42E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 30A TO220AB Investigación
BTA216-600F,127 Image BTA216-600F,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
ACTT10-800CTNQ ACTT10-800CTN/SIL3P/STANDARD M Investigación
BYV25FX-600,127 Image BYV25FX-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Investigación
BTA140-600G0Q BTA140-600G0/SIL3P/STANDARD MA Investigación
BTA316X-800C/L01Q BTA316X-800C/L01/TO-220F/STAND Investigación
NXPS20S100CX,127 Image NXPS20S100CX,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F Investigación
BTA201-800B,112 Image BTA201-800B,112 TRIAC 800V 1A TO92-3 Investigación
ACTT10X-800EQ Image ACTT10X-800EQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP Investigación
BT168G,112 Image BT168G,112 THYRISTOR .8A 600V TO-92 Investigación
BTA308X-800F0Q BTA308X-800F0 TO-220F STANDARD Investigación
BTA316X-800C/L03Q BTA316X-800C L03Q STANDARD Investigación
ACT108-600D,126 Image ACT108-600D,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BTA2008-800D,412 Image BTA2008-800D,412 TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO92-3 Investigación
Z0103NA,412 Image Z0103NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
ACTT2W-800ETNF ACTT2W-800ETN SC-70 STANDARD Investigación
BT131-800D,412 Image BT131-800D,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
PHE13005,127 Image PHE13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Investigación
ACTT4X-800E,127 Image ACTT4X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220F Investigación
BT1308W-600D,135 Image BT1308W-600D,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Investigación
BYC15X-600PQ Image BYC15X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F Investigación
BT137X-800E,127 Image BT137X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220-3 Investigación
BT236X-600G,127 Image BT236X-600G,127 TRIAC 600V 6A TO220-3 Investigación
BYV32E-200,127 Image BYV32E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220AB Investigación
Z0109MAQP Z0109MA/TO-92/STANDARD MARKING Investigación
BYV410-600,127 Image BYV410-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220AB Investigación
BYV34-500,127 Image BYV34-500,127 DIODE ARRAY GP 500V 20A TO220AB Investigación
BTA204S-800B,118 Image BTA204S-800B,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
BUJ303A,127 Image BUJ303A,127 TRANS NPN 500V 5A TO220AB Investigación
BT138B-600,118 Image BT138B-600,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Investigación
registros 873