بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.

رقم القطعة	وصف	رأي
W29GL032CH7B	IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W25Q40CLSSIG	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q128FVFJQ TR	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W25Q128FVFJP TR	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W25Q32FVTBJQ	IC FLASH MEMORY 32MB	تحقيق
W29GL032CB7A	IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA	تحقيق
W948D6DBHX6E	IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA	تحقيق
W989D6DBGX6I	IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA	تحقيق
W631GG6MB-12	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA	تحقيق
W631GG6MB12I	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA	تحقيق
W25Q128FVBJQ	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W9812G6KH-5 TR	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
W947D6HBHX5I	IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA	تحقيق
W9825G2JB-75	IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA	تحقيق
W25X16VSSIG T&R	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC	تحقيق
W631GG6MB11I TR	IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA	تحقيق
W25Q256FVEIF	IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W631GU6MB15I TR	IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA	تحقيق
W25Q64DWZEIG	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W9412G6KH-5I	IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II	تحقيق
W25Q64CVSSJG TR	IC FLASH MEMORY 64MB	تحقيق
W9751G8KB-25 TR	IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA	تحقيق
W25Q80BWZPIG TR	IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q80BVSNIG	IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q64JVDAIQ TR	IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8DIP	تحقيق
W632GG6MB-11 TR	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ	تحقيق
W25Q64FVSH03	IC FLASH 64M SPI 104MHZ	تحقيق
W25Q40CLSNIG	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W9812G6KH-6I	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
W631GU6KB-12	IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W25X40CLDAIG TR	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP	تحقيق
W29GL256PL9B	IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W632GG8KB12I	IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA	تحقيق
W9725G6IB-25	IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA	تحقيق
W29GL064CH7B	IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W25Q64FVZPJQ	IC FLASH MEMORY 64MB	تحقيق
W25Q16VSSIG	IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q32DWZPIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q32FVZEIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W29N02GVSIAA	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP	تحقيق
W25Q80BLSSIG TR	IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC	تحقيق
W979H6KBQX2I	IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA	تحقيق
W9725G6KB25I TR	IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA	تحقيق
W9425G6KH-4	IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II	تحقيق
W25Q64JVZEIQ TR	IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON	تحقيق
W631GU6KS-12 TR	IC SDRAM 1GBIT 96BGA	تحقيق
W25Q80BLSNIG	IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC	تحقيق
W25X16AVSNIG	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q128JVFIM TR	IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC	تحقيق
W25Q16DVZPJP	IC FLASH MEMORY 16MB	تحقيق

سجلات 1,271

الصفحة الحالية:8/26سابق 1 2 3 4 5 6 789 10 11 12 13 14 15 التالي نهاية