بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.

رقم القطعة	وصف	رأي
W947D2HBJX5E	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA	تحقيق
W25Q256FVEIP	IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q80DVSSIG	IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W9464G6KH-4 TR	IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II	تحقيق
W25X16VSFIG T&R	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 16SOIC	تحقيق
W29GL512SL9T	IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP	تحقيق
W29GL064CT7B	IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W631GU6KS-12	IC SDRAM 1GBIT 96BGA	تحقيق
W631GG6MB-15	IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA	تحقيق
W29GL256SH9B	IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W25Q256FVEJQ TR	IC FLASH MEMORY 256MB	تحقيق
W25Q80JVSSIQ TR	IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q16DVSNIG	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25X40CLSVIG	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8VSOP	تحقيق
W9812G6JH-5	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
W25Q64JVDAIQ	IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8DIP	تحقيق
W9812G2KB-6	IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA	تحقيق
W979H6KBVX2I TR	IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA	تحقيق
W29N01HVDINA	IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA	تحقيق
W631GG6KB12I TR	IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W25Q32FWSTIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VSOP	تحقيق
W25Q16DWSNIG TR	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W631GU6KB-11 TR	IC SDRAM 1GBIT 96BGA	تحقيق
W632GG6KB-11 TR	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W631GU8KB-15	IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA	تحقيق
W25P16VSFIG T&R	IC FLASH 16M SPI 50MHZ 16SOIC	تحقيق
W9812G2KB-6 TR	IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA	تحقيق
W632GG6KB12J	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ	تحقيق
W25Q80JVUXIQ TR	IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8USON	تحقيق
W9816G6IB-6	IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA	تحقيق
W25Q16DVSSJG	IC FLASH MEMORY 16MB	تحقيق
W25Q80BVSNIG TR	IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W9864G2JB-6I TR	IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA	تحقيق
W9864G6KH-5	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
W631GU8MB11I	IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA	تحقيق
W25X10BVZPIG	IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W632GU6KB12J	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ	تحقيق
W25X40VSSIG T&R	IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC	تحقيق
W631GU6MB15I	IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA	تحقيق
W978H6KBQX2I	IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA	تحقيق
W25Q80DVSVIG TR	IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP	تحقيق
W25Q32BVZPJP	IC FLASH MEMORY 32MB	تحقيق
W631GG6MB15I TR	IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA	تحقيق
W632GU6AB-15	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	تحقيق
W972GG6JB-3 TR	IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA	تحقيق
W25Q16CVZPJG TR	IC FLASH MEMORY 16MB	تحقيق
W25Q80EWZPIG TR	IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25X32VZEIG T&R	IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8WSON	تحقيق
W29GL128CL9T TR	IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP	تحقيق
W25Q128FWPIG	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق

سجلات 1,271

الصفحة الحالية:6/26سابق 1 2 3 4 567 8 9 10 11 12 13 14 15 التالي نهاية