العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q16FWSVIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q128JVPIM IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W948D2FBJX5I Image W948D2FBJX5I IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q257FVFIG IC FLASH 256MBIT 16SOIC تحقيق
W632GG8MB-12 Image W632GG8MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA تحقيق
W9464G6JH-5I Image W9464G6JH-5I IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q64FVZEIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64JVZEIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32DWZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q40BWSNIG IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q40CLZPIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q20EWSVIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q16DWSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29N04GZBIBA Image W29N04GZBIBA IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W966D6HBGX7I TR Image W966D6HBGX7I TR IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W9812G6JB-6 TR Image W9812G6JB-6 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W9812G6KH-5 Image W9812G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q16VSFIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q16DVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W631GG8KB12I Image W631GG8KB12I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W631GG8KB-11 Image W631GG8KB-11 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q16CVSFIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q256JVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64FVZPIM IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL512PL9T Image W29GL512PL9T IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25X80VSSIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W949D2DBJX5I TR Image W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W632GU8AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W9825G6KH-6 TR Image W9825G6KH-6 TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q128FVTIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W979H2KBVX2I Image W979H2KBVX2I IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W9725G6KB-18 Image W9725G6KB-18 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q64FVSCA1 IC FLASH 64M SPI 104MHZ تحقيق
W94AD2KBJX5E TR Image W94AD2KBJX5E TR IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q64JVZEIM TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128FVCJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25X40CLSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16CVZPJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W632GG6MB-12 Image W632GG6MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q128FWPIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL128CH9C TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TFBGA تحقيق
W632GG6MB15I TR Image W632GG6MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q256FVBIG TR Image W25Q256FVBIG TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W972GG6JB-25 TR Image W972GG6JB-25 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W987D2HBJX7E TR Image W987D2HBJX7E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25X20CLSVIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q256JVBIM Image W25Q256JVBIM IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W9812G6KH-6I TR Image W9812G6KH-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W631GU8KB15I Image W631GU8KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W29N01GVDIAA Image W29N01GVDIAA IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية