العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W9825G2JB-6I TR Image W9825G2JB-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q128FWSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16DVZPIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GG6KB15I TR Image W632GG6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64CVZEJP IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q256JVCIQ TR Image W25Q256JVCIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W632GU6MB-12 Image W632GU6MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA تحقيق
W988D6FBGX7E TR Image W988D6FBGX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W25Q16DVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32BVSSIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9825G6JB-6 Image W9825G6JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W25Q64FVTCJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W971GG6SB-18 TR Image W971GG6SB-18 TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25X20BVSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9864G2JH-6 IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II تحقيق
W25Q256FVCJQ TR IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W25Q16JLZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SWSON تحقيق
W631GG6MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W25Q128FVFIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q80EWSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W631GG6MB-15 TR Image W631GG6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W25Q32BVZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL512SH9T Image W29GL512SH9T IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q32FWZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q16CLSVIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8VSOP تحقيق
W632GU8MB-11 Image W632GU8MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W632GG8MB12I Image W632GG8MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W9812G6JH-6I Image W9812G6JH-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q32JVSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG6MB-15 Image W632GG6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W631GG6KB-12 TR Image W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32BVSSJG IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W632GG6MB11I Image W632GG6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q64FVTCJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q256FVCIP TR Image W25Q256FVCIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q257JVFIQ TR IC FLASH 256MBIT 16SOIC تحقيق
W25Q32FVZPJF IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W632GU6KB15I TR Image W632GU6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W632GU6MB-15 TR Image W632GU6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q128JVPIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W631GG8KB-15 Image W631GG8KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q16DWSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64JVTCIQ TR Image W25Q64JVTCIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q32FVSSIF TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32JVSFIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25X20CLUXIG TR Image W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W632GG8MB12I TR Image W632GG8MB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W631GU6MB11I IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA تحقيق
W948D6FB2X5J IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية