العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q256FVEJF IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W631GG6MB15J IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W25Q32FWBYIC TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP تحقيق
W972GG6JB-25 Image W972GG6JB-25 IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q80BLSNIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL128CH9T Image W29GL128CH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W632GU6KB-12 Image W632GU6KB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W631GU6KB-11 IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W632GU8MB-12 Image W632GU8MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W966D6HBGX7I Image W966D6HBGX7I IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W25Q128FVSIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL512SL9B Image W29GL512SL9B IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W29GL512PH9B Image W29GL512PH9B IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W632GG8MB-11 TR Image W632GG8MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q128FVPJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W971GG8JB25I Image W971GG8JB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q64FVSSIP IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64FVSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64JVSFIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q256FVBIP TR Image W25Q256FVBIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W9864G6JB-6 Image W9864G6JB-6 IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W631GU6KB-15 Image W631GU6KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W972GG8JB-25 TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W971GG8KB-25 Image W971GG8KB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W631GU6KB12J IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q80DVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVBIP Image W25Q256FVBIP IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W632GG6MB12I TR Image W632GG6MB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q128BVBJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W631GG6KB-11 TR Image W631GG6KB-11 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W632GU6KB-11 Image W632GU6KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q80BWSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W948D6FBHX6E Image W948D6FBHX6E IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W987D6HBGX6E TR Image W987D6HBGX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W25X20BVZPIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FWSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q128FVPIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVSSJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W631GG8KB-15 TR Image W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q256JVEIM TR IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W971GG6KB-25 Image W971GG6KB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q128FWEIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVSTIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25X20CLSVIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q256JVBIM TR Image W25Q256JVBIM TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q32JWSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W631GU8KB-15 TR Image W631GU8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q256FVFJF TR IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W947D6HBHX5I TR Image W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q128FVSJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية