العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W632GG8MB15I TR Image W632GG8MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W632GG6AB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W29GL256PH9B TR Image W29GL256PH9B TR IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q64DWSSIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W971GG8SB-25 Image W971GG8SB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q32BVSSJP IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W9864G2JB-6I Image W9864G2JB-6I IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W9751G6KB25I TR Image W9751G6KB25I TR IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q64CVTBIG IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W632GU6MB12I TR Image W632GU6MB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25X32VSFIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W97BH2KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q32FWZPIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q16CVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128FVEIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9464G6JH-4 Image W9464G6JH-4 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25M512JVBIQ Image W25M512JVBIQ IC FLASH 512M SPI 24TFBGA تحقيق
W632GG8KB-09 Image W632GG8KB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ تحقيق
W25Q64CVSFJP TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q80EWSNIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128JVBIQ TR Image W25Q128JVBIQ TR IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W9425G6KH-5 TR Image W9425G6KH-5 TR IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q16DVZPJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q16DVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG6KB-15 Image W631GG6KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W29GL128CH9C IC FLASH 128M PARALLEL 56TFBGA تحقيق
W29GL512SL9B TR Image W29GL512SL9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W971GG8KB25I Image W971GG8KB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W632GG8KB-15 Image W632GG8KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W988D6FBGX7E Image W988D6FBGX7E IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W947D6HBHX6E TR Image W947D6HBHX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W632GG6KB-11 Image W632GG6KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32BVSFJP IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q64FVZEJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q80EWSSIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16BVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W972GG8JB25I TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W631GU6MB-11 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA تحقيق
W25Q32DWZPIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25M02GVTBIG TR Image W25M02GVTBIG TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W948D6KBHX5E IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA تحقيق
W972GG6JB-3 Image W972GG6JB-3 IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W94AD2KBJX5E Image W94AD2KBJX5E IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W29GL256PL9T TR Image W29GL256PL9T TR IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W29GL256SL9T Image W29GL256SL9T IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q64BVSSIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q80EWSVIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q64CVSSJP IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q40EWUXIE TR Image W25Q40EWUXIE TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W948D2FBJX6E Image W948D2FBJX6E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق789101112131415161718192021التالينهاية