العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W631GU6KS-15 IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q16CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W631GU6MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W25Q64FVZPJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q32FWBYIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP تحقيق
W632GU8KB12I TR Image W632GU8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q32FVSSJQ IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q256FVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q128FWFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q20EWSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9812G6IH-6 Image W9812G6IH-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W9412G6KH-5 Image W9412G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q16DWSNIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG6KB15J Image W632GG6KB15J IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q32FWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9464G6JH-5 Image W9464G6JH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q256FVBIF Image W25Q256FVBIF IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W9816G6JB-6I Image W9816G6JB-6I IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W97BH2KBQX2E IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q64CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W9751G8KB25I Image W9751G8KB25I IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W9825G6KH-6 Image W9825G6KH-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W9812G6KH-6 TR Image W9812G6KH-6 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q256FVCIG Image W25Q256FVCIG IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W9412G6JH-4 Image W9412G6JH-4 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W19B320BTT7H Image W19B320BTT7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP تحقيق
W25Q128FVFJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W631GU6KB15I TR Image W631GU6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W631GG8MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA تحقيق
W25Q16JVSNIQ IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W948D6KBHX5I IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA تحقيق
W947D6HBHX5E TR Image W947D6HBHX5E TR IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q257FVFIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q16DVUUJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25X32VSFIG T&R IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32FVXGJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W948D6FBHX6E TR Image W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W98AD2KBJX6E TR 1GB MSDR X32 166MHZ تحقيق
W971GG6SB25I Image W971GG6SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W971GG8SB-25 TR Image W971GG8SB-25 TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q128FVFIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q128FVSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVFIG TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W632GG8KB-11 Image W632GG8KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q64FVSSIF IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL256PL9T Image W29GL256PL9T IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W631GU6KS-15 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W631GG6KS15I IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W632GU6MB12I Image W632GU6MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q64CVZPJG TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
سجلات 1,271
سابق5678910111213141516171819التالينهاية