العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q80BWSSIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W631GU8KB12I Image W631GU8KB12I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q16CLZPIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8WSON تحقيق
W988D6FBGX6I TR Image W988D6FBGX6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W988D2FBJX7E TR Image W988D2FBJX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q32FVXGJQ IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W9751G6KB-25 Image W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q128FWFIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W29GL256PH9B Image W29GL256PH9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25X05CLUXIG TR Image W25X05CLUXIG TR IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W25Q256JVCIM Image W25Q256JVCIM IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W9725G6KB-25 Image W9725G6KB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W29GL512PH9T TR Image W29GL512PH9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q16CVSNJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25X20VZPIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W631GU6KB15I Image W631GU6KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W631GU6MB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA تحقيق
W25Q128FVCIP Image W25Q128FVCIP IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q64JVSFIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25X10VSNIG IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W25X40VSNIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W97BH6KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q256FVEIG IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128JVBIM Image W25Q128JVBIM IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W25B40AVSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG6KB12I Image W632GG6KB12I IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q128FVEIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FVSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FWZEIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FVZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9812G6JB-6I Image W9812G6JB-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W29GL256SH9B TR Image W29GL256SH9B TR IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W632GG8MB15I Image W632GG8MB15I IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W9751G8KB25I TR Image W9751G8KB25I TR IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W631GG6KB15I TR Image W631GG6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25X40CVSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W632GU8AB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W97BH2KBVX2I Image W97BH2KBVX2I IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25X40CLZPIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q80DVSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q256FVCIF TR Image W25Q256FVCIF TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q64CVZEIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64CVZEJG TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q64JVSSIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG8AB-12 Image W632GG8AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q32FWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W631GU8MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256FVEIP TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GG8KB12I TR Image W632GG8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق456789101112131415161718التالينهاية