Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W25Q80BWSSIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W631GU8KB12I Image W631GU8KB12I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W25Q16CLZPIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8WSON Penyelidikan
W988D6FBGX6I TR Image W988D6FBGX6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA Penyelidikan
W988D2FBJX7E TR Image W988D2FBJX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25Q32FVXGJQ IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W9751G6KB-25 Image W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W25Q128FWFIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W29GL256PH9B Image W29GL256PH9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W25X05CLUXIG TR Image W25X05CLUXIG TR IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8USON Penyelidikan
W25Q256JVCIM Image W25Q256JVCIM IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W9725G6KB-25 Image W9725G6KB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W29GL512PH9T TR Image W29GL512PH9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP Penyelidikan
W25Q16CVSNJP IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W25X20VZPIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8WSON Penyelidikan
W631GU6KB15I Image W631GU6KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W631GU6MB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA Penyelidikan
W25Q128FVCIP Image W25Q128FVCIP IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W25Q64JVSFIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25X10VSNIG IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25X40VSNIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC Penyelidikan
W97BH6KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Penyelidikan
W25Q256FVEIG IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q128JVBIM Image W25Q128JVBIM IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W25B40AVSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Penyelidikan
W632GG6KB12I Image W632GG6KB12I IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25Q128FVEIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q32FVSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q32FWZEIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q32FVZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W9812G6JB-6I Image W9812G6JB-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Penyelidikan
W29GL256SH9B TR Image W29GL256SH9B TR IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W632GG8MB15I Image W632GG8MB15I IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W9751G8KB25I TR Image W9751G8KB25I TR IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W631GG6KB15I TR Image W631GG6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25X40CVSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W632GU8AB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W97BH2KBVX2I Image W97BH2KBVX2I IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA Penyelidikan
W25X40CLZPIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q80DVSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP Penyelidikan
W25Q256FVCIF TR Image W25Q256FVCIF TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W25Q64CVZEIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q64CVZEJG TR IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q64JVSSIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC Penyelidikan
W632GG8AB-12 Image W632GG8AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Penyelidikan
W25Q32FWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W631GU8MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA Penyelidikan
W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q256FVEIP TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W632GG8KB12I TR Image W632GG8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
catatan 1,271