Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W29GL032CH7B Image W29GL032CH7B IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W25Q40CLSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q128FVFJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W25Q128FVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W25Q32FVTBJQ IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W29GL032CB7A IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA Penyelidikan
W948D6DBHX6E IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Penyelidikan
W989D6DBGX6I Image W989D6DBGX6I IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA Penyelidikan
W631GG6MB-12 Image W631GG6MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Penyelidikan
W631GG6MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Penyelidikan
W25Q128FVBJQ IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W9812G6KH-5 TR Image W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W947D6HBHX5I Image W947D6HBHX5I IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W9825G2JB-75 Image W9825G2JB-75 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Penyelidikan
W25X16VSSIG T&R IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Penyelidikan
W631GG6MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA Penyelidikan
W25Q256FVEIF IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W631GU6MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Penyelidikan
W25Q64DWZEIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W9412G6KH-5I Image W9412G6KH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Penyelidikan
W25Q64CVSSJG TR IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W9751G8KB-25 TR Image W9751G8KB-25 TR IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q80BWZPIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q80BVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q64JVDAIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8DIP Penyelidikan
W632GG6MB-11 TR Image W632GG6MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W25Q64FVSH03 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Penyelidikan
W25Q40CLSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W9812G6KH-6I Image W9812G6KH-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W631GU6KB-12 Image W631GU6KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25X40CLDAIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP Penyelidikan
W29GL256PL9B Image W29GL256PL9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W632GG8KB12I Image W632GG8KB12I IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W9725G6IB-25 Image W9725G6IB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W29GL064CH7B Image W29GL064CH7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W25Q64FVZPJQ IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q16VSSIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q32DWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q32FVZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W29N02GVSIAA Image W29N02GVSIAA IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP Penyelidikan
W25Q80BLSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W979H6KBQX2I IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Penyelidikan
W9725G6KB25I TR Image W9725G6KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W9425G6KH-4 Image W9425G6KH-4 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Penyelidikan
W25Q64JVZEIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Penyelidikan
W631GU6KS-12 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W25Q80BLSNIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25X16AVSNIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q128JVFIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q16DVZPJP IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
catatan 1,271