Tarjeta de línea

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation es una compañía de circuitos integrados de memoria dedicada al diseño, fabricación y servicio de ventas para brindar a sus clientes globales soluciones de memoria de alta calidad. Las líneas de productos de Winbond incluyen Code Storage Flash Memory, Serial y Parallel NAND, Specialty DRAM y Mobile DRAM.
Los productos Winbond son ampliamente utilizados por las empresas en los mercados verticales de IoT, como computación, dispositivos multimedia conectados, automóviles, sistemas de redes e industriales. Winbond ofrece productos de DRAM y productos automotrices e industriales de grado y DRAM con soporte de longevidad. Winbond tiene aproximadamente 2,200 empleados en todo el mundo, que incluye un FAB de 12 pulgadas en su sede en Taichung, Taiwán.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
W29GL032CH7B Image W29GL032CH7B IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA Investigación
W25Q40CLSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q128FVFJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25Q128FVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25Q32FVTBJQ IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W29GL032CB7A IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA Investigación
W948D6DBHX6E IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Investigación
W989D6DBGX6I Image W989D6DBGX6I IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA Investigación
W631GG6MB-12 Image W631GG6MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Investigación
W631GG6MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Investigación
W25Q128FVBJQ IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W9812G6KH-5 TR Image W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Investigación
W947D6HBHX5I Image W947D6HBHX5I IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Investigación
W9825G2JB-75 Image W9825G2JB-75 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Investigación
W25X16VSSIG T&R IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Investigación
W631GG6MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA Investigación
W25Q256FVEIF IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W631GU6MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Investigación
W25Q64DWZEIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W9412G6KH-5I Image W9412G6KH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Investigación
W25Q64CVSSJG TR IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W9751G8KB-25 TR Image W9751G8KB-25 TR IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA Investigación
W25Q80BWZPIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON Investigación
W25Q80BVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q64JVDAIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8DIP Investigación
W632GG6MB-11 TR Image W632GG6MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Investigación
W25Q64FVSH03 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Investigación
W25Q40CLSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W9812G6KH-6I Image W9812G6KH-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Investigación
W631GU6KB-12 Image W631GU6KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Investigación
W25X40CLDAIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP Investigación
W29GL256PL9B Image W29GL256PL9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Investigación
W632GG8KB12I Image W632GG8KB12I IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Investigación
W9725G6IB-25 Image W9725G6IB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Investigación
W29GL064CH7B Image W29GL064CH7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA Investigación
W25Q64FVZPJQ IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W25Q16VSSIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC Investigación
W25Q32DWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25Q32FVZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W29N02GVSIAA Image W29N02GVSIAA IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP Investigación
W25Q80BLSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Investigación
W979H6KBQX2I IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Investigación
W9725G6KB25I TR Image W9725G6KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Investigación
W9425G6KH-4 Image W9425G6KH-4 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Investigación
W25Q64JVZEIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Investigación
W631GU6KS-12 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA Investigación
W25Q80BLSNIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Investigación
W25X16AVSNIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Investigación
W25Q128JVFIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC Investigación
W25Q16DVZPJP IC FLASH MEMORY 16MB Investigación
registros 1,271