Tarjeta de línea

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation es una compañía de circuitos integrados de memoria dedicada al diseño, fabricación y servicio de ventas para brindar a sus clientes globales soluciones de memoria de alta calidad. Las líneas de productos de Winbond incluyen Code Storage Flash Memory, Serial y Parallel NAND, Specialty DRAM y Mobile DRAM.
Los productos Winbond son ampliamente utilizados por las empresas en los mercados verticales de IoT, como computación, dispositivos multimedia conectados, automóviles, sistemas de redes e industriales. Winbond ofrece productos de DRAM y productos automotrices e industriales de grado y DRAM con soporte de longevidad. Winbond tiene aproximadamente 2,200 empleados en todo el mundo, que incluye un FAB de 12 pulgadas en su sede en Taichung, Taiwán.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
W97BH6KBQX2E IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Investigación
W25X40VSSIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC Investigación
W25Q128BVEJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W632GU6KB12I Image W632GU6KB12I IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Investigación
W25Q64FVSSIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q64FVZPIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25Q16DVUZIG TR Image W25Q16DVUZIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON Investigación
W29GL128PH9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Investigación
W972GG8JB-3I IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Investigación
W25Q32FVSFJQ IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W9725G8KB-18 Image W9725G8KB-18 IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA Investigación
W25X40CLSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q64FWZPIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W631GU8MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA Investigación
W29GL032CT7S Image W29GL032CT7S IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP Investigación
W25Q80BWZPIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON Investigación
W25Q16DVSNJP IC FLASH MEMORY 16MB Investigación
W25Q16CVSSJG IC FLASH MEMORY 16MB Investigación
W29GL128CL9B Image W29GL128CL9B IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA Investigación
W25Q128FWEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25X64VSFIG IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC Investigación
W632GU8MB12I Image W632GU8MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Investigación
W97BH6KBVX2E Image W97BH6KBVX2E IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA Investigación
W9412G6KH-5I TR Image W9412G6KH-5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Investigación
W25Q256JVEIQ IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON Investigación
W25Q64FVDAIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8DIP Investigación
W25X80VSFIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC Investigación
W25X10VZPIG IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8WSON Investigación
W9812G6JB-6I TR Image W9812G6JB-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Investigación
W25Q16DWZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Investigación
W25Q32FVTBIG Image W25Q32FVTBIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA Investigación
W25Q128JVCIQ TR Image W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Investigación
W25Q64CVTBIP IC FLASH MEMORY 64MB Investigación
W631GG8KB15I TR Image W631GG8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Investigación
W25Q32BVZPJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W971GG6KB25I TR Image W971GG6KB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Investigación
W9751G6KB-18 TR Image W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Investigación
W989D2DBJX6I Image W989D2DBJX6I IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA Investigación
W25Q32FVSSIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q32BVSFJG TR IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W25X10AVSNIG IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC Investigación
W25Q32FVZPJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB Investigación
W631GU6MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Investigación
W25Q16JVSSIQ IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC Investigación
W631GG6MB12J IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Investigación
W25Q128JVFIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC Investigación
W25Q32FVSSIP IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Investigación
W25Q16CLSNIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC Investigación
W25Q128BVFJP IC FLASH MEMORY 128MB Investigación
W25Q32FVDAIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP Investigación
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