Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W29GL032CH7B Image W29GL032CH7B IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25Q40CLSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128FVFJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q128FVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q32FVTBJQ IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W29GL032CB7A IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA Έρευνα
W948D6DBHX6E IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Έρευνα
W989D6DBGX6I Image W989D6DBGX6I IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W631GG6MB-12 Image W631GG6MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Έρευνα
W631GG6MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q128FVBJQ IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W9812G6KH-5 TR Image W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W947D6HBHX5I Image W947D6HBHX5I IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W9825G2JB-75 Image W9825G2JB-75 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Έρευνα
W25X16VSSIG T&R IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W631GG6MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA Έρευνα
W25Q256FVEIF IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W631GU6MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q64DWZEIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W9412G6KH-5I Image W9412G6KH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25Q64CVSSJG TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W9751G8KB-25 TR Image W9751G8KB-25 TR IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25Q80BWZPIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q80BVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64JVDAIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8DIP Έρευνα
W632GG6MB-11 TR Image W632GG6MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W25Q64FVSH03 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Έρευνα
W25Q40CLSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W9812G6KH-6I Image W9812G6KH-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W631GU6KB-12 Image W631GU6KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25X40CLDAIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W29GL256PL9B Image W29GL256PL9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W632GG8KB12I Image W632GG8KB12I IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W9725G6IB-25 Image W9725G6IB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W29GL064CH7B Image W29GL064CH7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25Q64FVZPJQ IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q16VSSIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32DWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q32FVZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W29N02GVSIAA Image W29N02GVSIAA IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP Έρευνα
W25Q80BLSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Έρευνα
W979H6KBQX2I IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W9725G6KB25I TR Image W9725G6KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W9425G6KH-4 Image W9425G6KH-4 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25Q64JVZEIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W631GU6KS-12 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA Έρευνα
W25Q80BLSNIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Έρευνα
W25X16AVSNIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128JVFIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q16DVZPJP IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
εγγραφές 1,271