Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W97BH6KBQX2E IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W25X40VSSIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128BVEJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W632GU6KB12I Image W632GU6KB12I IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q64FVSSIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64FVZPIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16DVUZIG TR Image W25Q16DVUZIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON Έρευνα
W29GL128PH9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W972GG8JB-3I IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25Q32FVSFJQ IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W9725G8KB-18 Image W9725G8KB-18 IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25X40CLSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64FWZPIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W631GU8MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA Έρευνα
W29GL032CT7S Image W29GL032CT7S IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP Έρευνα
W25Q80BWZPIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16DVSNJP IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q16CVSSJG IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W29GL128CL9B Image W29GL128CL9B IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25Q128FWEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25X64VSFIG IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC Έρευνα
W632GU8MB12I Image W632GU8MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W97BH6KBVX2E Image W97BH6KBVX2E IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
W9412G6KH-5I TR Image W9412G6KH-5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25Q256JVEIQ IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q64FVDAIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W25X80VSFIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC Έρευνα
W25X10VZPIG IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8WSON Έρευνα
W9812G6JB-6I TR Image W9812G6JB-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Έρευνα
W25Q16DWZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q32FVTBIG Image W25Q32FVTBIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA Έρευνα
W25Q128JVCIQ TR Image W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q64CVTBIP IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W631GG8KB15I TR Image W631GG8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q32BVZPJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W971GG6KB25I TR Image W971GG6KB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W9751G6KB-18 TR Image W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W989D2DBJX6I Image W989D2DBJX6I IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25Q32FVSSIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32BVSFJG TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W25X10AVSNIG IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32FVZPJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W631GU6MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q16JVSSIQ IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W631GG6MB12J IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q128JVFIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q32FVSSIP IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q16CLSNIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128BVFJP IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q32FVDAIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
εγγραφές 1,271
Προηγούμενος123456789101112131415ΕπόμενοςΤέλος