Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W9712G6KB25I Image W9712G6KB25I IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA Έρευνα
W9751G6KB25I Image W9751G6KB25I IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W25Q128FVEJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W29GL256PL9B TR Image W29GL256PL9B TR IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25Q80DVSNIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128FVBIP Image W25Q128FVBIP IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q64FVZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q256JVBIQ TR Image W25Q256JVBIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25P40VSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Έρευνα
W25M02GVZEIT TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W978H6KBVX2E Image W978H6KBVX2E IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
W9725G6KB-18 TR Image W9725G6KB-18 TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W632GU6KB-15 TR Image W632GU6KB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25P80VSSIG T&R IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC Έρευνα
W97AH6KBVX2I TR Image W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
W25Q128FVSJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q16BVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q128FVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16BVSFIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W9825G6KH-5 Image W9825G6KH-5 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W631GG8MB-12 Image W631GG8MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA Έρευνα
W25Q128FVPJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q32BVZPJG TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W25X20CLSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W948D6KBHX5E TR IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA Έρευνα
W25Q32DWSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q16DWUUIG Image W25Q16DWUUIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON Έρευνα
W25Q32FVSSIP TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25X20VSNIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W632GU8MB-15 Image W632GU8MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W97BH2KBVX2E Image W97BH2KBVX2E IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
W631GG8MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA Έρευνα
W632GU8KT-12 Image W632GU8KT-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W94AD2KBJX5I Image W94AD2KBJX5I IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25Q64CVSSIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC Έρευνα
W25M512JVBIQ TR Image W25M512JVBIQ TR IC FLASH 512M SPI 24TFBGA Έρευνα
W29N04GWBIBA Image W29N04GWBIBA IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W25Q128FVPIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W98AD6KBGX6E TR 1GB MSDR X16 166MHZ Έρευνα
W25Q256FVEIQ IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q128JVAIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8DIP Έρευνα
W9825G2JB-6I Image W9825G2JB-6I IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Έρευνα
W25Q80EWBYIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WLCSP Έρευνα
W9751G6KB-25 TR Image W9751G6KB-25 TR IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W972GG6JB-18 TR Image W972GG6JB-18 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W631GU8MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA Έρευνα
W25Q64FVSFIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W632GG8KB15I Image W632GG8KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W9412G6KH-5 TR Image W9412G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W987D2HBJX6E Image W987D2HBJX6E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
εγγραφές 1,271