Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W9825G2JB-6I TR Image W9825G2JB-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Έρευνα
W25Q128FWSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q16DVZPIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W632GG6KB15I TR Image W632GG6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64CVZEJP IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q256JVCIQ TR Image W25Q256JVCIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W632GU6MB-12 Image W632GU6MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA Έρευνα
W988D6FBGX7E TR Image W988D6FBGX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W25Q16DVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q32BVSSIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W9825G6JB-6 Image W9825G6JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA Έρευνα
W25Q64FVTCJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W971GG6SB-18 TR Image W971GG6SB-18 TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W25X20BVSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W9864G2JH-6 IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Έρευνα
W25Q256FVCJQ TR IC FLASH MEMORY 256MB Έρευνα
W25Q16JLZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SWSON Έρευνα
W631GG6MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q128FVFIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q80EWSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W631GG6MB-15 TR Image W631GG6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q32BVZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W29GL512SH9T Image W29GL512SH9T IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W25Q32FWZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16CLSVIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8VSOP Έρευνα
W632GU8MB-11 Image W632GU8MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W632GG8MB12I Image W632GG8MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W9812G6JH-6I Image W9812G6JH-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W25Q32JVSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W632GG6MB-15 Image W632GG6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W631GG6KB-12 TR Image W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q32BVSSJG IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W632GG6MB11I Image W632GG6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W25Q64FVTCJQ IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q256FVCIP TR Image W25Q256FVCIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q257JVFIQ TR IC FLASH 256MBIT 16SOIC Έρευνα
W25Q32FVZPJF IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W632GU6KB15I TR Image W632GU6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W632GU6MB-15 TR Image W632GU6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W25Q128JVPIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W631GG8KB-15 Image W631GG8KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q16DWSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64JVTCIQ TR Image W25Q64JVTCIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA Έρευνα
W25Q32FVSSIF TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32JVSFIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W25X20CLUXIG TR Image W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8USON Έρευνα
W632GG8MB12I TR Image W632GG8MB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W631GU6MB11I IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA Έρευνα
W948D6FB2X5J IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Έρευνα
εγγραφές 1,271