Line Card

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation เป็น บริษัท ด้านหน่วยความจำ IC ที่ดำเนินธุรกิจด้านการออกแบบการผลิตและการขายเพื่อให้บริการโซลูชั่นหน่วยความจำคุณภาพระดับโลก สายผลิตภัณฑ์ของ Winbond ประกอบด้วยหน่วยความจำแฟลชที่เก็บข้อมูล, NAND แบบขนานและขนาน, DRAM พิเศษและ Mobile DRAM
ผลิตภัณฑ์ Winbond ใช้กันอย่างแพร่หลายโดย บริษัท ในตลาดแนวตั้งของ IoT เช่นคอมพิวเตอร์อุปกรณ์เชื่อมต่อมัลติมีเดียรถยนต์ระบบเครือข่ายและอุตสาหกรรม Winbond นำเสนอผลิตภัณฑ์ Flash และ DRAM สำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์และอุตสาหกรรมโดยมีการสนับสนุนระยะยาว Winbond มีพนักงานประมาณ 2,200 คนทั่วโลกซึ่งประกอบด้วย FAB ขนาด 12 นิ้วที่สำนักงานใหญ่ในเมืองไทจงประเทศไต้หวัน
ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ลักษณะ ดู
W9825G2JB-6I TR Image W9825G2JB-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA การสอบสวน
W25Q128FWSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q16DVZPIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W632GG6KB15I TR Image W632GG6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA การสอบสวน
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q64CVZEJP IC FLASH MEMORY 64MB การสอบสวน
W25Q256JVCIQ TR Image W25Q256JVCIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA การสอบสวน
W632GU6MB-12 Image W632GU6MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA การสอบสวน
W988D6FBGX7E TR Image W988D6FBGX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA การสอบสวน
W25Q16DVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W25Q32BVSSIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W9825G6JB-6 Image W9825G6JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA การสอบสวน
W25Q64FVTCJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB การสอบสวน
W971GG6SB-18 TR Image W971GG6SB-18 TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA การสอบสวน
W25X20BVSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W9864G2JH-6 IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II การสอบสวน
W25Q256FVCJQ TR IC FLASH MEMORY 256MB การสอบสวน
W25Q16JLZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SWSON การสอบสวน
W631GG6MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA การสอบสวน
W25Q128FVFIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC การสอบสวน
W25Q80EWSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP การสอบสวน
W631GG6MB-15 TR Image W631GG6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA การสอบสวน
W25Q32BVZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W29GL512SH9T Image W29GL512SH9T IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP การสอบสวน
W25Q32FWZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W25Q16CLSVIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8VSOP การสอบสวน
W632GU8MB-11 Image W632GU8MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ การสอบสวน
W632GG8MB12I Image W632GG8MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ การสอบสวน
W9812G6JH-6I Image W9812G6JH-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP การสอบสวน
W25Q32JVSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC การสอบสวน
W632GG6MB-15 Image W632GG6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ การสอบสวน
W631GG6KB-12 TR Image W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA การสอบสวน
W25Q32BVSSJG IC FLASH MEMORY 32MB การสอบสวน
W632GG6MB11I Image W632GG6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ การสอบสวน
W25Q64FVTCJQ IC FLASH MEMORY 64MB การสอบสวน
W25Q256FVCIP TR Image W25Q256FVCIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA การสอบสวน
W25Q257JVFIQ TR IC FLASH 256MBIT 16SOIC การสอบสวน
W25Q32FVZPJF IC FLASH MEMORY 32MB การสอบสวน
W632GU6KB15I TR Image W632GU6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA การสอบสวน
W632GU6MB-15 TR Image W632GU6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ การสอบสวน
W25Q128JVPIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON การสอบสวน
W631GG8KB-15 Image W631GG8KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA การสอบสวน
W25Q16DWSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q64JVTCIQ TR Image W25Q64JVTCIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA การสอบสวน
W25Q32FVSSIF TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q32JVSFIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC การสอบสวน
W25X20CLUXIG TR Image W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8USON การสอบสวน
W632GG8MB12I TR Image W632GG8MB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ การสอบสวน
W631GU6MB11I IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA การสอบสวน
W948D6FB2X5J IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA การสอบสวน
ประวัติ 1,271
ก่อน123456789101112131415ต่อไปปลาย