Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W25Q16FWSVIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q128JVPIM IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W948D2FBJX5I Image W948D2FBJX5I IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25Q257FVFIG IC FLASH 256MBIT 16SOIC Έρευνα
W632GG8MB-12 Image W632GG8MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA Έρευνα
W9464G6JH-5I Image W9464G6JH-5I IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25Q64FVZEIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q64JVZEIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q32DWZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q40BWSNIG IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q40CLZPIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q20EWSVIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q16DWSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W29N04GZBIBA Image W29N04GZBIBA IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W966D6HBGX7I TR Image W966D6HBGX7I TR IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W9812G6JB-6 TR Image W9812G6JB-6 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Έρευνα
W9812G6KH-5 Image W9812G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W25Q16VSFIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q16DVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W631GG8KB12I Image W631GG8KB12I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W631GG8KB-11 Image W631GG8KB-11 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q16CVSFIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q256JVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q64FVZPIM IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W29GL512PL9T Image W29GL512PL9T IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W25X80VSSIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W949D2DBJX5I TR Image W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W632GU8AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W9825G6KH-6 TR Image W9825G6KH-6 TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W25Q128FVTIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W979H2KBVX2I Image W979H2KBVX2I IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
W9725G6KB-18 Image W9725G6KB-18 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W25Q64FVSCA1 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Έρευνα
W94AD2KBJX5E TR Image W94AD2KBJX5E TR IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25Q64JVZEIM TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q128FVCJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25X40CLSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q16CVZPJG IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W632GG6MB-12 Image W632GG6MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W25Q128FWPIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W29GL128CH9C TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TFBGA Έρευνα
W632GG6MB15I TR Image W632GG6MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W25Q256FVBIG TR Image W25Q256FVBIG TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W972GG6JB-25 TR Image W972GG6JB-25 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W987D2HBJX7E TR Image W987D2HBJX7E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25X20CLSVIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q256JVBIM Image W25Q256JVBIM IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W9812G6KH-6I TR Image W9812G6KH-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W631GU8KB15I Image W631GU8KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W29N01GVDIAA Image W29N01GVDIAA IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA Έρευνα
εγγραφές 1,271