Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W631GU6KS-15 IC SDRAM 1GBIT 96BGA Έρευνα
W25Q16CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W631GU6MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q64FVZPJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q32FWBYIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP Έρευνα
W632GU8KB12I TR Image W632GU8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q32FVSSJQ IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W25Q256FVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q128FWFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q20EWSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W9812G6IH-6 Image W9812G6IH-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W9412G6KH-5 Image W9412G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25Q16DWSNIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W632GG6KB15J Image W632GG6KB15J IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W25Q32FWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W9464G6JH-5 Image W9464G6JH-5 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25Q256FVBIF Image W25Q256FVBIF IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W9816G6JB-6I Image W9816G6JB-6I IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W97BH2KBQX2E IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W25Q64CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W9751G8KB25I Image W9751G8KB25I IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W9825G6KH-6 Image W9825G6KH-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W9812G6KH-6 TR Image W9812G6KH-6 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W25Q256FVCIG Image W25Q256FVCIG IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W9412G6JH-4 Image W9412G6JH-4 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W19B320BTT7H Image W19B320BTT7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP Έρευνα
W25Q128FVFJQ IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W631GU6KB15I TR Image W631GU6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W631GG8MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA Έρευνα
W25Q16JVSNIQ IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W948D6KBHX5I IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA Έρευνα
W947D6HBHX5E TR Image W947D6HBHX5E TR IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q257FVFIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q16DVUUJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25X32VSFIG T&R IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q32FVXGJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W948D6FBHX6E TR Image W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W98AD2KBJX6E TR 1GB MSDR X32 166MHZ Έρευνα
W971GG6SB25I Image W971GG6SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W971GG8SB-25 TR Image W971GG8SB-25 TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25Q128FVFIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q128FVSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q256FVFIG TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W632GG8KB-11 Image W632GG8KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q64FVSSIF IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W29GL256PL9T Image W29GL256PL9T IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W631GU6KS-15 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA Έρευνα
W631GG6KS15I IC SDRAM 1GBIT 96BGA Έρευνα
W632GU6MB12I Image W632GU6MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W25Q64CVZPJG TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
εγγραφές 1,271