Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W25Q64FWSTIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W631GU6KB-15 TR Image W631GU6KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W948D6FBHX5E TR Image W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q32BVSSJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W988D6FBGX6E Image W988D6FBGX6E IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W29GL256SH9C IC FLASH 256M PARALLEL 56TFBGA Έρευνα
W25Q80JVSNIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W9864G6JH-6I Image W9864G6JH-6I IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W9864G2JH-6 TR IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Έρευνα
W632GG6MB-11 Image W632GG6MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W967D6HBGX7I TR Image W967D6HBGX7I TR IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W25Q64FVSS00 IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32FVZPIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q32FVSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W29GL512PH9B TR Image W29GL512PH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W29N01HVDINF Image W29N01HVDINF IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA Έρευνα
W29GL128CH9B Image W29GL128CH9B IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W19B320ABB7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA Έρευνα
W632GG6KB-15 Image W632GG6KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q64FVSSIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W29GL512PL9T TR Image W29GL512PL9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W25Q128FVFIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q64FVSFJQ IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W9712G6KB25I TR Image W9712G6KB25I TR IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA Έρευνα
W25X16VSSIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W25X40AVSNIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC Έρευνα
W9864G6KH-6I Image W9864G6KH-6I IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W631GU6KB-12 TR Image W631GU6KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q32FVTCIG TR Image W25Q32FVTCIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA Έρευνα
W25Q128FVFIF TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q80BVDAIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W631GG6KB11I IC SDRAM 1GBIT 96BGA Έρευνα
W632GG8AB-11 Image W632GG8AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W29GL256SL9T TR Image W29GL256SL9T TR IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W631GG8MB-11 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA Έρευνα
W9751G6KB-18 Image W9751G6KB-18 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W25Q16DVSNJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q32BVSSJG TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W9816G6JB-6 Image W9816G6JB-6 IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W29GL032CT7A IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA Έρευνα
W9816G6JH-6 TR Image W9816G6JH-6 TR IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Έρευνα
W9864G6KH-5 TR Image W9864G6KH-5 TR IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W29N01HVSINF Image W29N01HVSINF IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP Έρευνα
W25Q128JVEIM IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W25M512JVEIQ TR IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W632GG6KB11I Image W632GG6KB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W25Q128BVBJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q64FVSTIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q256JVFIM TR IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W631GG6KS-12 IC SDRAM 1GBIT 96BGA Έρευνα
εγγραφές 1,271