Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W25Q16BVZPIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25P16VSSIG T&R IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32FVSSJF IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W25Q16DVZPIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q256FVEIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q64FVSSJF TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W987D6HBGX6E Image W987D6HBGX6E IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W25Q64FWSTIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q16CVSSJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q32FVTCIP Image W25Q32FVTCIP IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA Έρευνα
W25Q64FWSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W9812G2KB-6I Image W9812G2KB-6I IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Έρευνα
W632GG8AB-15 Image W632GG8AB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W25Q64FVZPIF TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q40CLSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q256FVCIF Image W25Q256FVCIF IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q256JVFIQ IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q256FVBIF TR Image W25Q256FVBIF TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q80DVZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q256FVEIG TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q64FVSSIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128FVSJP IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q40BWZPIG TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16CVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25X16VZPIG T&R IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8WSON Έρευνα
W971GG8SB25I Image W971GG8SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W632GG6KB-12 TR Image W632GG6KB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q128FVEIP IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W94AD6KBHX5E Image W94AD6KBHX5E IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25X80VSFIG T&R IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q64BVSFIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 16SOIC Έρευνα
W979H6KBVX2E Image W979H6KBVX2E IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
W25Q64FVSF00 IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q64FWSSIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W631GU8MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA Έρευνα
W25Q256FVFJF IC FLASH MEMORY 256MB Έρευνα
W25Q128FVFIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W987D6HBGX6I TR Image W987D6HBGX6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W25Q32BVSFJG IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W25P40VSNIG IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Έρευνα
W19B320ATT7H Image W19B320ATT7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP Έρευνα
W979H6KBQX2E IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W631GU8KB-12 Image W631GU8KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q128FVPIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q80BLZPIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON Έρευνα
W98AD2KBJX6I TR 1GB MSDR X32 166MHZ IND Έρευνα
W25Q40BWZPIG IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q128FVCJF TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W29GL128CH9B TR Image W29GL128CH9B TR IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25Q16DVSNIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
εγγραφές 1,271