بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.

رقم القطعة	وصف	رأي
W25Q16BVZPIG	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25P16VSSIG T&R	IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q32FVSSJF	IC FLASH MEMORY 32MB	تحقيق
W25Q16DVZPIG	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q256FVEIF TR	IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q64FVSSJF TR	IC FLASH MEMORY 64MB	تحقيق
W987D6HBGX6E	IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA	تحقيق
W25Q64FWSTIG TR	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP	تحقيق
W25Q16CVSSJP TR	IC FLASH MEMORY 16MB	تحقيق
W25Q32FVTCIP	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA	تحقيق
W25Q64FWSFIG	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC	تحقيق
W9812G2KB-6I	IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA	تحقيق
W632GG8AB-15	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	تحقيق
W25Q64FVZPIF TR	IC FLASH MEMORY 64MB	تحقيق
W25Q40CLSNIG TR	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q256FVCIF	IC FLASH 256M SPI 24TFBGA	تحقيق
W25Q256JVFIQ	IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC	تحقيق
W25Q256FVBIF TR	IC FLASH 256M SPI 24TFBGA	تحقيق
W25Q80DVZPIG TR	IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q256FVEIG TR	IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q64FVSSIQ	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q128FVSJP	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W25Q40BWZPIG TR	IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q16CVSSIG	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25X16VZPIG T&R	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8WSON	تحقيق
W971GG8SB25I	IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA	تحقيق
W632GG6KB-12 TR	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W25Q128FVEIP	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W94AD6KBHX5E	IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA	تحقيق
W25X80VSFIG T&R	IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC	تحقيق
W25Q64BVSFIG	IC FLASH 64M SPI 80MHZ 16SOIC	تحقيق
W979H6KBVX2E	IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA	تحقيق
W25Q64FVSF00	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC	تحقيق
W25Q64FWSSIG TR	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W631GU8MB15I	IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA	تحقيق
W25Q256FVFJF	IC FLASH MEMORY 256MB	تحقيق
W25Q128FVFIQ	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC	تحقيق
W987D6HBGX6I TR	IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA	تحقيق
W25Q32BVSFJG	IC FLASH MEMORY 32MB	تحقيق
W25P40VSNIG	IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC	تحقيق
W19B320ATT7H	IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP	تحقيق
W979H6KBQX2E	IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA	تحقيق
W631GU8KB-12	IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA	تحقيق
W25Q128FVPIG	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q80BLZPIG	IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON	تحقيق
W98AD2KBJX6I TR	1GB MSDR X32 166MHZ IND	تحقيق
W25Q40BWZPIG	IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q128FVCJF TR	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W29GL128CH9B TR	IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W25Q16DVSNIG TR	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق

سجلات 1,271

الصفحة الحالية:7/26سابق 1 2 3 4 5 678 9 10 11 12 13 14 15 التالي نهاية