بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.

رقم القطعة	وصف	رأي
W97BH6KBQX2E	IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA	تحقيق
W25X40VSSIG	IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q128BVEJP TR	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W632GU6KB12I	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W25Q64FVSSIG	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q64FVZPIQ	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q16DVUZIG TR	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON	تحقيق
W29GL128PH9T TR	IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP	تحقيق
W972GG8JB-3I	IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA	تحقيق
W25Q32FVSFJQ	IC FLASH MEMORY 32MB	تحقيق
W9725G8KB-18	IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA	تحقيق
W25X40CLSNIG	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q64FWZPIG TR	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W631GU8MB-12	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA	تحقيق
W29GL032CT7S	IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP	تحقيق
W25Q80BWZPIG	IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q16DVSNJP	IC FLASH MEMORY 16MB	تحقيق
W25Q16CVSSJG	IC FLASH MEMORY 16MB	تحقيق
W29GL128CL9B	IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA	تحقيق
W25Q128FWEIG	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25X64VSFIG	IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC	تحقيق
W632GU8MB12I	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ	تحقيق
W97BH6KBVX2E	IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA	تحقيق
W9412G6KH-5I TR	IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II	تحقيق
W25Q256JVEIQ	IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q64FVDAIG	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8DIP	تحقيق
W25X80VSFIG	IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC	تحقيق
W25X10VZPIG	IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8WSON	تحقيق
W9812G6JB-6I TR	IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA	تحقيق
W25Q16DWZPIG TR	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON	تحقيق
W25Q32FVTBIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA	تحقيق
W25Q128JVCIQ TR	IC FLASH 128M SPI 24TFBGA	تحقيق
W25Q64CVTBIP	IC FLASH MEMORY 64MB	تحقيق
W631GG8KB15I TR	IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA	تحقيق
W25Q32BVZPJP TR	IC FLASH MEMORY 32MB	تحقيق
W971GG6KB25I TR	IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA	تحقيق
W9751G6KB-18 TR	IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA	تحقيق
W989D2DBJX6I	IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA	تحقيق
W25Q32FVSSIQ	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q32BVSFJG TR	IC FLASH MEMORY 32MB	تحقيق
W25X10AVSNIG	IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q32FVZPJQ TR	IC FLASH MEMORY 32MB	تحقيق
W631GU6MB12I	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA	تحقيق
W25Q16JVSSIQ	IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC	تحقيق
W631GG6MB12J	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA	تحقيق
W25Q128JVFIQ TR	IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC	تحقيق
W25Q32FVSSIP	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q16CLSNIG TR	IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC	تحقيق
W25Q128BVFJP	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
W25Q32FVDAIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP	تحقيق

سجلات 1,271

الصفحة الحالية:1/26سابق12 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 التالي نهاية