Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W29GL512SH9B Image W29GL512SH9B IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25Q128FVEJQ IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q80BLUXIG TR Image W25Q80BLUXIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8USON Έρευνα
W25X80AVDAIZ IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8DIP Έρευνα
W631GG6MB-12 TR Image W631GG6MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q40EWSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25B40VSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64FVSSJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q32FVDAIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W25Q80DVZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q128JVSIM IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q80DLSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25X40VSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32FVTCJF TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W25Q128FVSIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32BVTBJG IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W9812G6JB-6 Image W9812G6JB-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Έρευνα
W631GU8MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA Έρευνα
W25Q16FWSNIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W631GG6KB-12 Image W631GG6KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q80EWSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32FWSSIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25X16AVSSIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W9825G2JB-6 Image W9825G2JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Έρευνα
W25X40CLSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W98AD6KBGX6E IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA Έρευνα
W29N02GZBIBA Image W29N02GZBIBA IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W94AD6KBHX5E TR Image W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q64FVZPIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q64DWZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16DVSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128JVEIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16DVSSJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q16DVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q32FVZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16CLSVIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q80BVDAIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W947D2HBJX5E TR Image W947D2HBJX5E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25Q128JVCIM Image W25Q128JVCIM IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Έρευνα
W972GG8JB-18 TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25X80VZPIG T&R IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16DWZPIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W29N01GVBIAA Image W29N01GVBIAA IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W29GL128PH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W978H6KBQX2E IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W9425G6EH-5 Image W9425G6EH-5 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25X20CLSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64FVSSJF IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q32JVSFIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W632GG8MB-09 Image W632GG8MB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ Έρευνα
εγγραφές 1,271