W947D2HBJX5E TR
W947D2HBJX5E TR
Αριθμός εξαρτήματος:
W947D2HBJX5E TR
Κατασκευαστής:
Winbond Electronics Corporation
Περιγραφή:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
38874 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
W947D2HBJX5E TR.pdf

Εισαγωγή

Το W947D2HBJX5E TR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την W947D2HBJX5E TR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το W947D2HBJX5E TR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε W947D2HBJX5E TR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page:15ns
Τάσης - Προμήθεια:1.7 V ~ 1.95 V
Τεχνολογία:SDRAM - Mobile LPDDR
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:90-VFBGA (8x13)
Σειρά:-
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:90-TFBGA
Αλλα ονόματα:W947D2HBJX5E TR-ND
W947D2HBJX5ETR
Θερμοκρασία λειτουργίας:-25°C ~ 85°C (TC)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):3 (168 Hours)
Τύπος μνήμης:Volatile
Μέγεθος μνήμης:128Mb (4M x 32)
Διασύνδεση μνήμης:Parallel
Μορφή μνήμης:DRAM
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Λεπτομερής περιγραφή:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
Συχνότητα ρολογιού:200MHz
Χρόνος πρόσβασης:5ns
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις