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W947D2HBJX5E TR
- Modèle de produit:
- W947D2HBJX5E TR
- Fabricant:
- Winbond Electronics Corporation
- La description:
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 38874 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- W947D2HBJX5E TR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 15ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Package composant fournisseur: | 90-VFBGA (8x13) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 90-TFBGA |
| Autres noms: | W947D2HBJX5E TR-ND W947D2HBJX5ETR |
| Température de fonctionnement: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 128Mb (4M x 32) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13) |
| Fréquence d'horloge: | 200MHz |
| Temps d'accès: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
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